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발광다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020002270
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전 방향에서 고반사도를 갖는 발광다이오드 및 그 제조 방법에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 발광다이오드는 기판; 상기 기판 상에 순차적으로 위치하는 제1도전형 질화물 반도체층, 활성층, 제2도전형 질화물 반도체층; 상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 위치하는 n측 전극; 및 상기 제2도전형 질화물 반도체층 상에 위치하는 p측 전극;을 포함하고, 상기 p측 전극은 플레이트층; 및 상기 플레이트층 상에 위치하는 반사층을 포함하며, 상기 플레이트층은 금속으로 둘러싸인 복수개의 나노 홀, 상기 나노 홀 내부에 위치하는 도전층을 포함한다.
Int. CL H01L 33/10 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/42 (2010.01.01)
CPC H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01) H01L 33/10(2013.01)
출원번호/일자 1020180105388 (2018.09.04)
출원인 광주과학기술원, 재단법인대구경북과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0027283 (2020.03.12) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.04)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오세미 광주광역시 북구
2 박성주 광주광역시 북구
3 김나영 광주광역시 북구
4 김상조 광주광역시 북구
5 이광재 광주광역시 북구
6 이효주 광주광역시 북구
7 조창희 대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 ***, 대구
8 송보경 대구광역시 달성군 현풍면 테크노중앙대로 ***, 대구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
2 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2018-0878728-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2019-0023481-33
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0608186-72
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.10.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1053521-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.10.16 수리 (Accepted) 1-1-2019-1053520-44
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0056847-19
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2020-0298234-15
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0298235-50
11 등록결정서
Decision to grant
2020.04.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0252225-84
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 순차적으로 위치하는 제1도전형 질화물 반도체층, 활성층, 제2도전형 질화물 반도체층;상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 위치하는 n측 전극; 및상기 제2도전형 질화물 반도체층 상에 위치하는 p측 전극;을 포함하고,상기 p측 전극은플레이트층; 및 상기 플레이트층 상에 위치하는 반사층;을 포함하며, 상기 플레이트층은 금속으로 둘러싸인 복수개의 나노 홀, 상기 나노 홀 내부에 위치하는 도전층을 포함하며,상기 반사층은 제1반사층 및 상기 제1반사층 상에 형성되어 제1반사층의 산화를 방지하기 위한 제2반사층을 포함하고,상기 금속의 재질은 제1반사층의 재질과 동일한 발광다이오드
2 2
제1항에 있어서,상기 제1반사층은 알루미늄을 포함하는 발광다이오드
3 3
제1항에 있어서,상기 제2반사층은 백금을 포함하는 발광다이오드
4 4
제1항에 있어서,상기 도전층은 ITO를 포함하는 발광다이오드
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서,상기 금속은 알루미늄을 포함하는 발광다이오드
7 7
(a) 기판 상에 순차적으로 제1도전형 질화물 반도체층, 활성층, 제2도전형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;(b) 상기 제1도전형 질화물 반도체층 상에 n측 전극을 형성하는 단계; 및(c) 상기 제2도전형 질화물 반도체층 상에 p측 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 (c) 단계는(c1) 리소그래피 공정을 이용하여, 도전층을 메쉬 형태로 증착하는 단계;(c2) 상기 도전층이 증착되지 않은 영역에 포토 레지스트를 도포한 후, 도전층과 포토 레지스트 상에 제1반사층을 형성하는 단계;(c3) 상기 제1반사층에 구멍을 형성하여, 도포된 포토 레지스트를 제거하여 상기 포토 레지스트가 제거된 영역에 복수개의 나노 홀을 형성하는 단계; 및(c4) 상기 구멍이 형성된 제1반사층 상에 제1반사층을 재형성하여, 상기 구멍을 통해 복수개의 나노 홀 사이에 금속을 증착하는 단계;를 상기 p측 전극은 금속으로 둘러싸인 복수개의 나노 홀, 상기 나노 홀 내부에 위치하는 도전층을 포함하는 플레이트층 상에 반사층이 형성된 것인 발광다이오드의 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제7항에 있어서,상기 도전층은 ITO를 포함하는 발광다이오드의 제조 방법
10 10
제7항에 있어서,상기 (c4) 단계 이후에, (c5) 상기 재형성된 제1반사층 상에 제2반사층을 형성하는 단계;를 추가로 포함하는 발광다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 광주과학기술원 광주과학기술원 달빛상생상용화사업 나노 기공 구조가 적용된 고효율 전방향 반사전극 개발