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집전체 상에 형성되고 양극 활물질을 포함하는 양극; 및집전체 상에 형성되고 음극 활물질을 포함하는 음극을 포함하고,상기 양극 및 상기 음극은,500 μm 내지 1500 μm의 두께를 가지며, 레이저 식각되어 표면에 하나 이상의 홈이 형성되고,상기 양극 및 상기 음극의 한계 두께는, 미 가공된 전극의 한계 두께보다 크고,상기 양극 및 상기 음극의 단위 면적 당 전극 용량이 최대 값을 나타내는 전극의 두께는, 미 가공된 전극의 단위 면적 당 전극 용량이 최대 값을 나타내는 전극의 두께보다 큰리튬 이차전지용 후막 전극
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제 1항에 있어서,상기 하나 이상의 홈의 깊이는,상기 양극 및 상기 음극의 두께의 1% 내지 100%인리튬 이차전지용 후막 전극
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제 3항이 있어서상기 하나 이상의 홈의 깊이는,상기 양극 및 상기 음극의 두께의 100%인리튬 이차전지용 후막 전극
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제 1항에 있어서,상기 양극 및 상기 음극은,레이저 식각되어 표면에 일정한 간격의 복수의 홈이 형성되고,상기 일정한 간격은, 10 μm 내지 1000 μm인리튬 이차전지용 후막 전극
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제 5항에 있어서상기 일정한 간격은, 10 μm 내지 200 μm인리튬 이차전지용 후막 전극
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제 3항에 있어서,상기 하나 이상의 홈의 깊이는,방전 전류 속도(C-rate)가 0
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제 5항에 있어서,상기 일정한 간격은,방전 전류 속도(C-rate)가 0
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제 1항에 있어서,상기 후막 전극은,방전 전류 속도(C-rate) 0
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제 1항에 있어서,상기 후막 전극은,방전 전류 속도(C-rate) 0
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제 10항에 있어서,상기 후막 전극은,방전 전류 속도(C-rate) 0
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제 1항에 있어서,상기 후막 전극은,전도성 집전체 상에 단일 막 형태로 형성되는리튬 이차전지용 후막 전극
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제 1항에 있어서,상기 후막 전극의 한계 두께는,상기 후막 전극의 표면적 비의 제곱과 미가공 전극의 한계 두께의 곱인리튬 이차전지용 후막 전극
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제 1항에 있어서,상기 하나 이상의 홈은,직선, 격자 또는 점의 형상인리튬 이차전지용 후막 전극
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양극 활물질을 포함하는 양극 및 음극 활물질을 포함하는 음극을 포함하는 후막 전극;상기 후막 전극이 형성되는 집전체;분리막; 및전해액을 포함하고,상기 양극 및 상기 음극은,500 μm 내지 1500 μm의 두께를 가지며,레이저 식각되어 표면에 하나 이상의 홈이 형성되고,상기 양극 및 상기 음극의 한계 두께는, 미 가공된 전극의 한계 두께보다 크고,상기 양극 및 상기 음극의 단위 면적 당 전극 용량이 최대 값을 나타내는 전극의 두께는, 미 가공된 전극의 단위 면적 당 전극 용량이 최대 값을 나타내는 전극의 두께보다 큰리튬 이차 전지
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