| 1 |
1
공융염 전해질이 포함된 양극 분말, 분산제 및 용매를 균일하게 혼합하여 양극 분산액을 제조하는 단계;상기 양극 분산액 및 콜로이드 무기질 바인더 현탁액을 혼합하여 양극 슬러리를 제조하는 단계;상기 양극 슬러리를 테이프 캐스팅하여 박막 양극 테이프를 제조하는 단계;상기 박막 양극 테이프를 비활성화 분위기의 전기로에서 200 내지 500℃ 온도로 열처리하는 단계; 및프레스기로 열처리된 박막 양극 테이프에 일정 압력을 가하여 박막 양극을 제조하는 가압 공정 단계;를 포함하며,콜로이드 무기질 바인더 현탁액은,SiO2, MgO, ZrO2(YSZ), Al2O3, Si3N4, MgAl2O4, SiC, ZnO, ATO(antimony-doped tin oxide), ITO(indium tin oxide), 카본블랙, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube) 중에서 선택되는 어느 하나의 콜로이드 무기질 바인더가 자일렌에 분산된 것을 특징으로 하는 열전지용 박막 양극 제조방법
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 용매는 에탄올, 톨루엔, 아세톤 및 물 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 열전지용 박막 양극 제조방법
|
| 3 |
3
삭제
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 가압 공정 단계는 상기 박막 양극 테이프의 상부면과 하부면에 0
|
| 6 |
6
제1항, 제2항, 및 제5항 중 어느 하나의 열전지용 박막 양극 제조방법에 의하여 제조된 열전지용 박막 양극
|
| 7 |
7
공융염 전해질이 포함된 음극 분말, 분산제 및 용매를 혼합하여 음극 분산액을 제조하는 단계;상기 음극 분산액 및 콜로이드 무기질 바인더 현탁액을 혼합하여 음극 슬러리를 제조하는 단계;상기 음극 슬러리를 테이프 캐스팅하여 박막 음극 테이프를 제조하는 단계;상기 박막 음극 테이프를 비활성화 분위기의 전기로에서 200 내지 500℃ 온도로 열처리하는 단계; 및프레스기로 열처리된 박막 음극 테이프을 일정 압력을 가하여 박막 음극을 제조하는 가압 공정 단계;를 포함하며,상기 콜로이드 무기질 바인더 현탁액은,SiO2, MgO, ZrO2(YSZ), Al2O3, Si3N4, MgAl2O4, SiC, ZnO, ATO(antimony-doped tin oxide), ITO(indium tin oxide), 카본블랙, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube) 중에서 선택되는 어느 하나의 콜로이드 무기질 바인더가 자일렌에 분산된 것을 특징으로 하는 열전지용 박막 음극 제조방법
|
| 8 |
8
제7항에 있어서,상기 용매는 에탄올, 톨루엔, 아세톤 및 물 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 열전지용 박막 음극 제조방법
|
| 9 |
9
삭제
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
제7항에 있어서,상기 가압 공정 단계는 상기 박막 음극 테이프의 상부면과 하부면에 0
|
| 12 |
12
제7항, 제8항, 및 제11항 중 어느 하나의 열전지용 박막 음극 제조방법에 의하여 제조된 열전지용 박막 음극
|
| 13 |
13
공융염 전해질 분말, 분산제 및 용매를 혼합하여 전해질 분산액을 제조하는 단계;상기 전해질 분산액 및 콜로이드 무기질 바인더 현탁액을 혼합하여 전해질 슬러리를 제조하는 단계;상기 전해질 슬러리를 테이프 캐스팅하여 박막 전해질 테이프를 제조하는 단계;상기 박막 전해질 테이프를 비활성화 분위기의 전기로에서 200 내지 500℃ 온도로 열처리하는 단계; 및프레스기로 열처리된 박막 전해질 테이프을 일정 압력을 가하여 박막 전해질을 제조하는 가압 공정 단계;를 포함하며,상기 콜로이드 무기질 바인더 현탁액은,SiO2, MgO, ZrO2(YSZ), Al2O3, Si3N4, MgAl2O4, SiC, ZnO, ATO(antimony-doped tin oxide), ITO(indium tin oxide), 카본블랙, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube) 중에서 선택되는 어느 하나의 콜로이드 무기질 바인더가 자일렌에 분산된 것을 특징으로 하는 열전지용 박막 전해질 제조방법
|
| 14 |
14
제13항에 있어서,상기 용매는 에탄올, 톨루엔, 아세톤 및 물 중에서 선택되는 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 열전지용 박막 전해질 제조방법
|
| 15 |
15
삭제
|
| 16 |
16
삭제
|
| 17 |
17
제13항에 있어서,상기 가압 공정 단계는 상기 박막 전해질 테이프의 상부면과 하부면에 0
|
| 18 |
18
제13항, 제14항, 및 제17항 중 어느 하나의 열전지용 박막 전해질 제조방법에 의하여 제조된 열전지용 박막 전해질
|
| 19 |
19
열전지용 박막 양극, 열전지용 박막 음극, 및 상기 열전지용 박막 양극과 상기 열전지용 박막 음극 사이에 접하는 열전지용 박막 전해질로 이루어지되,상기 열전지용 박막 양극, 상기 열전지용 박막 음극, 및 상기 열전지용 박막 전해질은 SiO2, MgO, ZrO2(YSZ), Al2O3, Si3N4, MgAl2O4, SiC, ZnO, ATO(antimony-doped tin oxide), ITO(indium tin oxide), 카본블랙, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 및 탄소나노튜브(carbon nanotube) 중에서 선택되는 어느 하나의 콜로이드 무기질 바인더가 자일렌에 분산된 콜로이드 무기질 바인더 현탁액으로 포함하여 제조된 슬러리를 테이프 캐스팅 및 가압 공정을 통해 제조된 것을 특징으로 하는 열전지
|
