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가스 내 특정 성분의 양을 센싱하는 가스센서 패키지에 있어서,기 설정된 파장 대역의 광을 조사하는 광원;상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 광원 상에 도포된 전극; 및상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 전극의 상부 및 상기 전극의 사이에 도포되며, 상기 특정 성분을 센싱하여 상기 전극 간의 저항값을 가변시키는 센싱 물질을 포함하며,상기 광원은 P 타입 질화물계 반도체층, N 타입 질화물계 반도체층, 외부로부터 전원을 인가받아 상기 P 타입 질화물계 반도체층과 상기 N 타입 질화물계 반도체층에 전원을 인가하는 제2 전극, 상기 P 타입 질화물계 반도체층과 상기 N 타입 질화물계 반도체층으로의 전원의 인가로 기 설정된 파장대역의 광이 생성되는 활성층 및 상기 N 타입 질화물계 반도체층 상에 성장된 기판을 포함하고,상기 기판은 기 설정된 간격마다 상기 활성층에서 광이 조사되는 방향으로 돌출된 돌출부를 포함하며, 상기 센싱물질은 상기 돌출부 상과 상기 돌출부 사이의 공간에 도포되어, 상기 기판으로 입사된 광이 상기 돌출부를 지나며 상기 센싱물질의 기 설정된 부분에서 상기 센싱물질로 방사되며,상기 전극은 상기 돌출부 상에 도포되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 광원은,LED 플립칩으로 구현되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제2항에 있어서,상기 전극은,상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 광원 내 포함된 사파이어 기판 상에 각각 도포되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 광원은,자외선 파장대역의 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 센싱 물질은,산화아연(ZnO), 산화 티타늄(TiO2), 산화주석(SnO2) 및 산화인듐(In2O3) 중 일부 또는 전부를 포함하는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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제1항에 있어서,상기 센싱 물질은,상기 광원이 조사하는 광을 수광함으로써, 상기 특정 성분을 센싱하기 위해 활성화되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지
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기 설정된 파장 대역의 광을 조사하는 광원을 이용해 가스 내 특정 성분의 양을 센싱하는 가스센서 패키지를 제조하는 방법에 있어서,상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 광원 상에 전극을 도포하는 제1 도포과정; 및상기 광원이 광을 조사하는 방향으로 상기 전극의 상부 및 상기 전극의 사이에 상기 특정 성분을 센싱하는 센싱 물질을 도포하는 제2 도포과정을 포함하며,상기 광원은 P 타입 질화물계 반도체층, N 타입 질화물계 반도체층, 외부로부터 전원을 인가받아 상기 P 타입 질화물계 반도체층과 상기 N 타입 질화물계 반도체층에 전원을 인가하는 제2 전극, 상기 P 타입 질화물계 반도체층과 상기 N 타입 질화물계 반도체층으로의 전원의 인가로 기 설정된 파장대역의 광이 생성되는 활성층 및 상기 N 타입 질화물계 반도체층 상에 성장된 기판을 포함하고,상기 기판은 기 설정된 간격마다 상기 활성층에서 광이 조사되는 방향으로 돌출된 돌출부를 포함하며, 상기 센싱물질은 상기 돌출부 상과 상기 돌출부 사이의 공간에 도포되어, 상기 기판으로 입사된 광이 상기 돌출부를 지나며 상기 센싱물질의 기 설정된 부분에서 상기 센싱물질로 방사되며,상기 전극은 상기 돌출부 상에 도포되는 것을 특징으로 하는 가스센서 패키지 제조방법
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