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a) 기판(110)에 마스크층(101)을 증착하고, 상기 마스크층(101)을 요구되는 소자 단위의 에피 구조체(130)가 성장할 수 있도록 패턴부(102)를 형성하는 단계;b) 상기 패턴부(102)가 형성된 기판(110)에만 분리층(120)를 갖는 에피 구조체(130)가 형성되도록 선택 성장하는 단계;c) 상기 에피 구조체(130)에 패시베이션층(140)을 형성하는 단계;d) 상기 에피 구조체(130)에 제1 전극(150)과 반사층(160)을 형성하는 단계;e) 상기 에피 구조체(130)를 플렉서블 필름(200)에 접착부(210)를 이용하여 접착하고, 상기 분리층(120)을 에칭하여 상기 플렉서블 필름(200)의 장력과 기판(110)의 중력을 통해 상기 에피 구조체(130)로부터 기판(110)을 분리하는 단계; 및f) 상기 기판(110)과 분리층(120)이 제거된 에피 구조체(130)에 제2 전극(170)을 설치하여 개별 광소자(100)를 형성하고, 상기 플렉서블 필름(200)으로부터 상기 광소자(100)를 분리하는 단계를 포함하고,상기 e) 단계는 상기 플렉서블 필름(200)이 일정한 곡면을 갖도록 에칭용액(400)이 수용된 용기(300)에 상기 플렉서블 필름(200)을 고정하며, 상기 에피 구조체(130)가 형성된 기판(110)을 상기 에칭용액(400)에 침지하여 상기 마스크층(101)과 분리층(120)의 에칭을 통해 상기 기판(110)이 에피 구조체(130)로부터 분리되도록 하는 것을 특징으로 하는 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 a)단계의 패턴부(102)는 소자의 크기에 따라 임의의 크기를 갖도록 에칭하여 형성되는 것을 특징으로 하는 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 마스크층(101)은 SiO2인 것을 특징으로 하는 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 분리층(120)은 기판(110) 상에 AlGaInP 계열의 에피 구조체가 성장되면 AlAs로 구성되고, 상기 기판(110) 상에 InGaAs 계열의 에피 구조체가 성장되면 GaInP로 구성되는 것을 특징으로 하는 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 필름은 테프론 필름, PET 필름, 캡톤(Capton) 필름 중 하나인 것을 특징으로 하는 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 플렉서블 필름은 두께가 10 ~ 200㎛인 것을 특징으로 하는 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 플렉서블 필름은 Au,Cu 가 도금된 금속 필름인 것을 특징으로 하는 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법
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제 7 항에 있어서,상기 접착부(210)는 UV접착제, 왁스, 파라핀, 포토레지스트, 금속, 폴리이미드 중 하나인 것을 특징으로 하는 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 플렉서블 필름(200)의 길이는 상기 용기(300)의 너비보다 크게 이루어진 것을 특징으로 하는 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 e)단계는 기판(110)에 일정 크기의 웨이트(500)를 부착하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 선택 성장을 이용한 광소자 제조방법
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