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흔적증거물에 묻은 잔류물을 감식하기 위한 흔적증거물 감식방법으로서,이차이온 질량분석기(Secondary Ion Mass Spectrometry)를 이용하여 대상시료에 대하여 2차원 이온이미지를 생성하는 단계;상기 2차원 이온이미지로부터 잔류물이 묻은 관심영역을 선택하여 상기 관심영역에 대한 질량스펙트럼을 구성하는 단계;상기 질량스펙트럼에서 피크들의 질량값과 이차이온세기를 수집하는 단계;상기 수집된 질량값과 이차이온세기를 주성분 분석(Principal Component Analysis)하는 단계; 및상기 주성분 분석 결과에 기반하여, 미리 구성된 데이터베이스에서 미리 설정된 동등성 조건을 만족하는 시료를 검색하는 단계;를 포함하고,상기 데이터베이스는, 복수의 시료들에 대한 질량스펙트럼에서 복수의 피크들의 질량값과 이차이온세기를 수집하고, 상기 복수의 피크들의 이차이온세기를 정규화시키고, 중간값(mean) 센터링시켜, 각 시료에 해당되는 피크들에 대한 질량값 및 이온세기 파라미터를 데이터베이스화하여 구성되는, 흔적증거물 감식방법
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제1항에 있어서,상기 데이터베이스에서 미리 설정된 동등성 조건을 만족하는 시료를 검색하는 단계는,상기 주성분 분석을 기반으로 매칭인자를 결정하는 단계;상기 매칭인자를 이용하여 미리 정해진 값 이상의 상기 동등성 조건을 만족하는 시료의 스펙트럼을 검색하는 단계; 및검색된 결과에 기반으로 상기 동등성 조건을 만족하는 시료의 발견 여부 및 발견된 시료의 정보를 출력하는 단계;를 포함하는, 흔적증거물 감식방법
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제1항에 있어서,상기 2차원 이온이미지를 생성하는 단계는, 상기 대상시료에 전처리 과정 없이 상기 이차이온 질량분석기 내에서 상기 대상시료 표면을 일차이온 건으로 충돌하여 이차이온을 발생시켜 2차원 이온이미지를 측정하는 단계;를 포함하는, 흔적증거물 감식방법
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제4항에 있어서,상기 일차이온 건은 비스무스(Bi), 세슘(Cs), 산소(O2), 알곤(Ar), 갈륨(Ga), 금(Au), 알곤 클러스터 및 C60 중 어느 하나인, 흔적증거물 감식방법
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제1항에 있어서,상기 관심영역에 대한 질량스펙트럼을 구성하는 단계는,상기 2차원 이온이미지의 이미지 분석 기법을 통해 화장품 성분이 묻어있는 영역을 지정하여 질량스펙트럼을 재구성하는 단계를 포함하는, 흔적증거물 감식방법
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제1항에 있어서,상기 수집된 질량값과 이차이온세기를 주성분 분석하는 단계는,상기 질량스펙트럼에서 검색키로 사용할 지문이온(fingerprint ion)을 선택하는 단계; 및지문이온을 이용하여 미리 구성된 상기 데이터베이스에서 상기 검색키에 대하여 주성분 분석하는 단계;를 포함하고,상기 검색키로 사용할 지문이온의 스펙트럼은 상기 질량스펙트럼의 전체 피크들 또는 일부 피크들을 갖는, 흔적증거물 감식방법
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제1항에 있어서,상기 질량스펙트럼은 양이온 질량스펙트럼 또는 음이온 질량스펙트럼인, 흔적증거물 감식방법
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제1항에 있어서,상기 잔류물은 화장품인, 흔적증거물 감식방법
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제9항에 있어서,상기 화장품의 질량스펙트럼의 영역은 질량 대 전하 비(m/z)가 0 내지 800 사이의 범위이고, 왁스, 실리콘계 화합물, 염료, 소듐마그네슘실리케이트, 알루미늄하이드록사이드, 마이카, 칼슘스테아레이트 중 하나 이상에서 기인한 이차이온에 의해 피크를 나타내는, 흔적증거물 감식방법
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제9항에 있어서,상기 데이터베이스는,각 화장품의 질량스펙트럼에서 각 피크 질량값, 피크 세기 및 피크 패턴을 축적하여 데이터베이스화된, 흔적증거물 감식방법
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제9항에 있어서,상기 수집된 질량값과 이차이온세기를 주성분 분석하는 단계는,상기 화장품이 묻은 부위에서 측정된 질량스펙트럼 질량값, 피크세기 및 피크패턴 중 하나 이상의 파라미터를 주성분 분석하는 단계;를 포함하고,상기 데이터베이스에서 미리 설정된 동등성 조건을 만족하는 시료를 검색하는 단계는,상기 주성분 분석 후에 성분들에 대한 매칭인자를 결정하고, 상기 매칭인자에 기반하여 상기 동등성 조건을 정량적으로 판단하는 단계;를 포함하는, 흔적증거물 감식방법
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제9항에 있어서,상기 흔적증거물에 묻은 화장품은, 립스틱, 파운데이션, 핸드크림, 매니큐어 중 하나인, 흔적증거물 감식방법
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