| 1 |
1
(a) 자성 나노 입자를 제공하는 단계; (b) 상기 자성 나노 입자가 공명 주파수를 가지도록, 직류 자기장인 제1 자기장을 상기 자성 나노 입자에 인가하는 단계; 및(c) 상기 공명 주파수를 가지는 교류 자기장 또는 펄스 자기장인 제2 자기장을 상기 자성 나노 입자에 인가하는 단계를 포함하고,(c) 단계에서 상기 자성 나노 입자가 발열되고, 상기 자성 나노 입자의 발열량은,(1) 상기 제1 자기장의 세기와 상기 자성 나노 입자의 감쇠 상수의 곱보다 제2 자기장의 세기가 작을 때까지 증가하며[HAC 003c# αHDC ; α는 감쇠 상수, HDC는 제1 자기장의 세기, HAC는 제2 자기장의 세기],(2) 상기 제1 자기장의 세기와 상기 자성 나노 입자의 감쇠 상수의 곱보다 제2 자기장의 세기가 크면 포화(saturation)되며[HAC 003e# αHDC],포화(saturation)되기 전까지의 발열량은 상기 제1 자기장의 세기와 상기 자성 나노 입자의 감쇠 상수의 곱에 비례하고,제1 자기장의 세기를 조절하여 포화되는 발열량의 최대치를 조절하는, 자성 나노 입자의 발열 방법
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 포화되기 전까지의 자성 나노 입자의 발열량 QRES는,[α는 감쇠 상수, γ는 자기 회전 비율(상수), Ms는 포화 자기값(saturation magnetization value), HDC는 제1 자기장의 세기, HAC는 제2 자기장의 세기, ρ는 물질의 밀도] 로 나타나는, 자성 나노 입자의 발열 방법
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,포화된 후의 자성 나노 입자의 발열량 QRES는,[α는 감쇠 상수, γ는 자기 회전 비율(상수), Ms는 포화 자기값(saturation magnetization value), HDC는 제1 자기장의 세기, HAC는 제2 자기장의 세기, ρ는 물질의 밀도]로 나타나는, 자성 나노 입자의 발열 방법
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 자성 나노 입자의 감쇠 상수는 0
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,상기 자성 나노 입자는 1nm 이상, 40nm 미만의 직경을 가지는, 자성 나노 입자의 발열 방법
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 자성 나노 입자는 40nm 이상, 500nm 미만의 직경을 가지는, 자성 나노 입자의 발열 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 자성 나노 입자는, 자기 소용돌이 코어 성분, 수평 자화 성분 및 나선 자화 성분을 포함하는 자기 소용돌이 구조(Magnetic Vortex Structure)를 가지는, 자성 나노 입자의 발열 방법
|
| 10 |
10
삭제
|
| 11 |
11
삭제
|
| 12 |
12
제1항에 있어서,상기 제2 자기장은 상기 제1 자기장이 인가되는 방향과 소정의 각도를 가지는 방향으로 인가되는, 자성 나노 입자의 발열 방법
|
| 13 |
13
제7항에 있어서,상기 자성 나노 입자의 상기 공명 주파수는 상기 제1 자기장의 크기에 따라 변화하는, 자성 나노 입자의 발열 방법
|
| 14 |
14
제8항에 있어서,상기 자성 나노 입자의 상기 공명 주파수는 상기 자성 나노 입자의 크기에 따라 변화하는, 자성 나노 입자의 발열 방법
|
| 15 |
15
제1항에 있어서,상기 자성 나노 입자는 Permalloy(Ni80Fe20), Maghemite(γ-Fe2O3), Magnetite(γ-Fe3O4), BariumFerrite(BaxFeyOz; x, y, z는 임의의 조성) 및 CoFe2O4 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 자성 나노 입자의 발열 방법
|
