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기판 상에 절연층을 적층하고 상기 절연층 상에 소자층을 적층하는 단계;상기 소자층 상에 식각마스크층을 적층하는 단계;상기 식각마스크층 상에 [110] 방향에 정렬된 영역 및 상기 [110] 방향에 비정렬된 영역을 포함하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 식각마스크층을 상기 포토레지스트 패턴과 동일한 형상의 패턴층으로 형성하여 상기 소자층의 일부를 노출시킨후 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;상기 패턴층이 형성되지 않은 상기 소자층의 노출된 부분을 제거하여 양 측면에 각각 제1 빗면 및 제2 빗면이 형성된 구조체를 형성하는 단계; 상기 구조체의 상기 제1 및 제2 빗면들 각각의 표면에 산화막을 형성하는 단계; 및 상기 패턴층을 제거한 후 상기 구조체의 일부를 제거하여 단일 실리콘 나노선을 형성하는 단계를 포함하고, 포토레지스트 패턴은,소정 폭을 가지도록 상기 [110] 방향을 따라 연장되며, 길이방향으로 이격간격을 두고 상호 대향되게 배치되는 A 및 B 영역들; 및상기 A 및 B 영역들 사이에서 상기 A 및 B 영역들보다 작은 폭을 가지며, 상기 [110] 방향에 정렬된 영역 및 상기 [110] 방향에 비정렬된 영역을 포함하는 C 영역을 포함하고, 상기 C 영역에서, 상기 [110] 방향에 정렬된 영역의 제1 모서리 부분은 상기 [110] 방향으로 연장되고, 상기 [110] 방향에 비정렬된 영역의 제2 모서리 부분은 상기 [110] 방향과 사선 방향으로 연장되며, 상기 패턴층은 상기 제1 모서리 부분 및 상기 제2 모서리 부분과 동일한 모서리 부분들을 가지도록 일체로 형성되며, 상기 제2 모서리 부분에 의해 형성되는 패턴층은 상기 제2 모서리 부분의 연장 방향과 동일하게 상기 [110] 방향과 사선 방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는 단일 실리콘 나노선의 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 소자층의 노출된 부분을 제거하는 단계에서,비등방성 식각 용액을 이용하여 상기 소자층의 노출된 부분을 제거하는 것을 특징으로 하는 단일 실리콘 나노선의 제작 방법
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제5항에 있어서, 상기 구조체의 단면, 및 상기 제1 및 제2 빗면들은 사다리꼴 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 실리콘 나노선의 제작 방법
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제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2 빗면들은,(111)면인 것을 특징으로 하는 단일 실리콘 나노선의 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 구조체의 일부를 제거하는 단계에서,상기 제2 빗면을 포함하는 영역은 제거되고 상기 제1 빗면을 포함하는 영역만 잔존하는 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 단일 실리콘 나노선의 제작 방법
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제8항에 있어서,비등방성 식각 용액을 이용하여 상기 구조체의 일부를 제거하는 것을 특징으로 하는 단일 실리콘 나노선의 제작 방법
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제8항에 있어서, 상기 단일 실리콘 나노선을 형성하는 단계에서,상기 제1 빗면을 포함하는 영역이 상기 단일 실리콘 나노선으로 형성되는 것을 특징으로 하는 단일 실리콘 나노선의 제작 방법
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