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자성 비드를 샘플 용액에 투입하여 상기 자성 비드의 작용기와 상기 샘플 용액의 타겟 분자를 결합시키고 상기 자성 비드를 상기 샘플 용액으로부터 분리하여 상기 샘플 용액으로부터 상기 타겟 분자를 추출시키도록 구성되는 랩온어칩(Lab-On-a-Chip; LOC)에 있어서,기판 상에 위치되어 외부 전원을 통해 구동되는 자성 구동 라인;상기 자성 구동 라인을 덮는 습기 침투 방지막; 및상기 습기 침투 방지막 상에 위치되는 액체 수용 구조물을 포함하고,상기 자성 구동 라인은, 순차적으로 적층되는 중금속과 강자성체와 금속 산화막을 하나의 기본 구조물로 하여 상기 기본 구조물을 적어도 두 개 가지고, 상기 강자성체에 수직 자기 이방성 자화를 가지고,상기 자성 구동 라인에 상기 외부 전원의 공급시 상기 강자성체에서 자구벽을 이동시키고, 상기 액체 수용 구조물은,상기 자성 비드와 상기 샘플 용액을 수용하도록,상기 강자성체의 상기 자구벽의 이동시 상기 샘플 용액에서 상기 자구벽을 따라 상기 자성 비드를 이동시키는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 기판은 순차적으로 적층되는 실리콘(Si) 및 실리콘 옥사드(SiXOY) 중 적어도 하나를 포함하는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 중금속은 백금(Pt), 탄탈륨(Ta) 또는 텅스텐(W)을 포함하는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 강자성체는 붕소(B), 코발트(Co), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 적어도 하나를 포함하는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 금속 산화막은 산화 마그네슘(MgO), 산화 탄탈륨(TaOX) 또는 산화 알루미늄(AlOX)을 포함하는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 기본 구조물은, 상기 기판에 대하여, 상기 기판 상에 수직하게 복수로 위치되는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 자성 구동 라인은 상기 기판의 표면으로부터 상기 기판의 상부를 향해 연장되는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 자성 구동 라인은 일부분을 통해 상기 기판의 내부를 향해 삽입되고 나머지 부분을 통해 상기 기판으로부터 돌출하는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 자성 구동 라인은, 상기 기판 상에 상기 기본 구조물을 수직하게 순차적으로 적층하여 상기 기본 구조물을 N(단, N ≥ 2) 개 가지는 때,복수의 강자성체에서 하나의 최하위 강자성체 중 개별 자구와, 상기 개별 자구 상에 수직하게 위치되는 N-1 개의 자구의 자화 방향을 동일하게 갖는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 자성 구동 라인은, 상기 기판 상에 상기 기본 구조물을 수직하게 순차적으로 적층하여 상기 기본 구조물을 N(단, N ≥ 2) 개 가지는 때,상기 기판과 접촉하는 최하위 강자성체의 자구벽에, 상기 최하위 강자성체 상에 위치되는 N-1 개의 강자성체의 자구벽을 수직하게 정렬시키는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 자성 구동 라인은,상기 기본 구조물의 강자성체에서 두 개의 자구 사이의 자구벽을 기준으로 상기 두 개의 자구를 순환하는 국부 자기장을 통해 상기 자구벽 상에 상기 자성 비드를 자기적으로 고정시키는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 자성 구동 라인은,상기 강자성체에서 상기 기판의 표면에 대해 수직하게 두께 1(nm)를 갖는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 자성 구동 라인은,상기 기본 구조물에서 상기 기판의 표면에 대해 수직하게 상기 중금속을 두께 1(nm)로, 상기 강자성체를 두께 1(nm)로, 그리고 상기 금속 산화막을 두께 1(nm)로 갖는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 습기 침투 방지막은 실리콘 옥사이드(SiXOY)와 실리콘 나이트라이드(SiXNY) 중 적어도 하나를 포함하는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 액체 수용 구조물은, 자기 미소구의 표면에 상기 작용기를 가지도록, 상기 자기 미소구의 상기 표면에,항체(antibody), 디옥시리보핵산(DNA), 전령 리보핵산(mRNA), 단백질(protein) 또는 단일 세포를 포함한 자성 비드를 수용하는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 액체 수용 구조물은, 상기 자성 비드의 상기 작용기와 결합하도록, 상기 타겟 분자로써,항원, 바이오 물질, 약물 또는 인체 세포를 포함한 샘플 용액을 수용하는 랩온어칩
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제1 항에 있어서,상기 기판 주변에 위치되어 상기 자성 구동 라인의 일 단 및 타 단에 전기적으로 각각 접속되는 제1 전극 노드와 제2 전극 노드를 더 포함하고,상기 제1 전극 노드와 상기 제2 전극 노드는 상기 외부 전원으로부터 전력을 공급받아 상기 자성 구동 라인의 상기 중금속에 전하 전류를 흐르게 하고,상기 중금속은 스핀 궤도 결합을 통해 상기 전하 전류를 스핀 분극시켜 복수의 스핀 분극된 전도 전자를 생성시키고,상기 강자성체는 상기 중금속으로부터 상기 복수의 스핀 분극된 전도 전자를 주입받아 상기 자구벽 주변에 위치되는 내부 전자의 자기 모우멘트에 전도 전자의 스핀 각운동량을 전달하여 스핀 주입 토오크를 통해 상기 자구벽을 이동시키는 랩온어칩
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