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기판 상에 제공되는 시드층;상기 시드층 상에 배치되는 저항 제어층; 및상기 저항 제어층 상에 배치되는 광학 제어층을 포함하되,상기 시드층은 제 1 면 및 상기 제 1 면에 대향하여 상기 저항 제어층을 향하는 제 2 면을 갖고,상기 제 2 면의 표면 거칠기는 상기 제 1 면의 표면 거칠기보다 큰 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 시드층의 상기 제 1 면은 실질적으로 평탄(flat)하고,상기 시드층의 상기 제 2 면은 0
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제 1 항에 있어서,상기 저항 제어층은 상기 시드층의 상기 제 2 면을 콘포말(conformal)하게 덮는 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 시드층을 향하는 상기 저항 제어층의 하면의 표면 거칠기는 상기 저항 제어층의 상면의 거칠기보다 큰 투명 전극
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제 4 항에 있어서,상기 저항 제어층의 상면은 실질적으로 평탄한 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 시드층의 두께는 10nm 내지 150nm인 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 시드층은 타이타늄 산질화물(TiOxNy)을 포함하되,상기 화학식에서 x는 0
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8
제 1 항에 있어서,상기 시드층의 상기 제 1 면 상에 제공되는 굴절률 제어층을 더 포함하는 투명 전극
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9
제 8 항에 있어서,상기 굴절률 제어층의 굴절률은 2
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10
제 8 항에 있어서,상기 굴절률 제어층은 몰리브데넘 산화물(MoOx), 몰리브테넘 황화물(MoSx), 텅스텐 산화물(WOx), 타이타늄 산화물(TiOx), 타이타늄 질화물(TiN), 타이타늄 산질화물(TiON) 또는 타이타늄 황화물(TiSx)을 포함하는 투명 전극
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11
제 1 항에 있어서,상기 저항 제어층은 은(Ag), 은 산화물(AgOx), 알루미늄(Al) 또는 구리(Cu)를 포함하는 투명 전극
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12
제 1 항에 있어서,평면적 관점에서 상기 광학 제어층 및 상기 시드층은 상기 저항 제어층보다 큰 평면 형상을 갖되,상기 저항 제어층의 전부는 상기 광학 제어층 및 상기 시드층과 오버랩(overlap)되는 투명 전극
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13
제 1 항에 있어서,상기 광학 제어층은 상기 저항 제어층의 상면 및 측면을 덮되,상기 저항 제어층은 상기 시드층 및 상기 광학 제어층에 의해 밀봉되는 투명 전극
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제 1 항에 있어서,상기 광학 제어층의 굴절률은 1
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제 1 항에 있어서,상기 광학 제어층은 실리콘 산화물(SiOx), 알루미늄 산화물(AlOx), 타이타늄 산화물(TiOx), 몰리브데넘 산화물(MoOx), 갈륨 도핑 아연 산화물(ZnO:Ga), 알루미늄 도핑 아연 산화물(ZnO:Al), 붕소 도핑 아연 산화물(ZnO:B), 주석 산화물(SnOx) 또는 불소 도핑 주석 산화물(FTO)을 포함하는 투명 전극
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16
제 1 항에 있어서,상기 시드층과 상기 저항 제어층 사이에 게재되는 버퍼층을 더 포함하는 투명 전극
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제 16 항에 있어서,상기 버퍼층은 상기 시드층의 상기 제 2 면을 콘포말(conformal)하게 덮는 투명 전극
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제 16 항에 있어서,상기 버퍼층의 상면의 표면 거칠기는 상기 시드층의 상기 제 1 면의 표면 거칠기와 같거나 작은 투명 전극
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제 16 항에 있어서,상기 버퍼층은 니켈(Ni), 크롬(Cr), 니켈 크롬(NiCr), 은 질화물(AgNx), 은 산화물(AgOx), 알루미늄(Al), 알루미늄 산화물(AlOx), 타이타늄 질화물(TiN) 또는 타이타늄 산질화물(TiON)을 포함하는 투명 전극
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기판 상에 제공되는 굴절률 제어층;상기 굴절률 제어층 상에 배치되는 시드층;상기 시드층 상에 배치되는 저항 제어층; 및상기 저항 제어층 상에 배치되는 광학 제어층을 포함하되,상기 시드층의 상면의 거칠기는 상기 굴절률 제어층의 상면의 거칠기보다 큰 투명 전극
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