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회전장치 상에 기판을 위치시키는 단계; 및회전하는 기판 상에 원료물질을 분사하여 M-Ni-Zn 페라이트 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 광 감응성 페라이트 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서, M은 Cu2+, Cd2+, Co2+, Ca2+, Mg2+ 및 Mn2+ 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 광 감응성 페라이트 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서, 원료물질은 염화물계 용매인 것을 특징으로 하는 광 감응성 페라이트 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서, 원료물질은 MnCl2, CoCl2, MgCl2, CuCl2, NiCl2, ZnCl2 및 FeCl2 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 광 감응성 페라이트 박막 제조방법
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청구항 4에 있어서, 광 감응성 페라이트 박막이 Cu-Ni-Zn 페라이트 박막인 경우, CuCl2, NiCl2, 및 ZnCl2의 몰비는 2:3:50인 것을 특징으로 하는 광 감응성 페라이트 박막 제조방법
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청구항 1에 있어서, 기판은 폴리이미드 및 폴리디메틸실록산 중 어느 하나인 유연 폴리머 기판, SiO2 및 Al2O3 중 어느 하나인 산화물계 웨이퍼, 및 GaN인 질화물계 웨이퍼 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 감응성 페라이트 박막 제조방법
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청구항 1에 따른 제조방법에 따라 제조된 광 감응성 페라이트 박막
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청구항 7에 있어서,광을 조사하면 인가된 전압에 따른 전류를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 광 감응성 페라이트 박막
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