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두꺼운 산화 아연 막을 생성하는 단계;전이 금속 양이온을 이용하여 상기 두꺼운 산화 아연 막을 식각하되, 상기 전이 금속 양이온의 종류 및 농도 중 적어도 하나에 따라서 식각 속도 및 식각 방향 중 적어도 하나가 결정되는 단계;를 포함하는 산화 아연의 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 전이 금속 양이온은, 티타늄(IV) 부톡사이드, 염화 마그네슘, 염화철(Ⅱ), 염화니켈, 염화 망간 및 염화 코발트 중 적어도 하나를 포함하는 산화 아연의 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 식각에 의하여, 얇은 산화 아연 막이 획득되는 단계;를 더 포함하는 산화 아연의 식각 방법
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제1항에 있어서,상기 두꺼운 산화 아연 막은,질산 아연 6수화물 및 옥틸아민을 탈이온수에 용해시킨 후 소정의 온도로 가열하여 획득된 산화 아연 나노볼트를 포함하는 산화 아연의 식각 방법
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제4항에 있어서,상기 전이 금속 양이온을 이용하여 상기 두꺼운 산화 아연 막을 식각하는 단계는, 전이 금속 양이온을 산화 아연 나노볼트의 수성 현탁액에 부가한 후 상기 전이 금속 양이온이 부가된 수성 현탁액을 소정의 온도에서 가열하여 수행되는 단계;를 포함하는 산화 아연의 식각 방법
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제4항에 있어서,상기 두꺼운 산화 아연 막을 식각하면, 상기 산화 아연 나노볼트가 산화 아연 나노너트로 변환되는 산화 아연의 식각 방법
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지지체의 적어도 하나의 일 면에 두꺼운 산화 아연 막이 형성되는 단계;전이 금속 양이온을 이용하여 상기 두꺼운 산화 아연 막이 식각되어 상기 지지체의 적어도 하나의 일 면에 얇은 산화 아연 막이 형성되되, 상기 전이 금속 양이온의 종류 및 농도 중 적어도 하나에 따라서 식각 속도 및 식각 방향 중 적어도 하나가 결정되는 단계;를 포함하는 산화 아연 막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 두꺼운 산화 아연 막은 산화 아연 나노볼트를 포함하고,상기 얇은 산화 아연 막은 상기 산화 아연 나노볼트가 식각되어 형성된 산화 아연 나노너트를 포함하는 산화 아연 막의 제조 방법
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제7항에 있어서,상기 지지체는 α-알루미나 지지체를 포함하는 산화 아연 막의 제조 방법
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지지체의 적어도 하나의 일 면에 두꺼운 산화 아연 막이 형성되는 단계;전이 금속 양이온을 이용하여 상기 두꺼운 산화 아연 막이 식각되어 상기 지지체의 적어도 하나의 일 면에 얇은 산화 아연 막이 형성되는 단계;를 통하여 제조되되, 상기 전이 금속 양이온의 종류 및 농도 중 적어도 하나에 따라서 식각 속도 및 식각 방향 중 적어도 하나가 결정되는 산화 아연 막
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지지체의 적어도 하나의 일 면에 두꺼운 산화 아연 막이 형성되는 단계;전이 금속 양이온을 이용하여 상기 두꺼운 산화 아연 막이 식각되어 상기 지지체의 적어도 하나의 일 면에 얇은 산화 아연 막이 형성되되, 상기 전이 금속 양이온의 종류 및 농도 중 적어도 하나에 따라서 식각 속도 및 식각 방향 중 적어도 하나가 결정되는 단계;상기 얇은 산화 아연 막을 변환시켜 중간 생성물을 생성하는 단계; 및상기 중간 생성물을 2차 성장시켜 상기 지지체의 적어도 하나의 일 면에 가스 분리 막을 생성하는 단계;를 포함하는 가스 분리 막의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 중간 생성물은 상기 얇은 산화 아연 막을 2-메틸이미다졸 용액 내에서 변환시켜 생성한 제올라이트 이미다졸레이트 프레임워크-8 층을 포함하는 가스 분리 막의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 가스 분리 막은 제올라이트 이미다졸레이트 프레임워크-8 막을 포함하는 가스 분리 막의 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 지지체의 적어도 하나의 일 면에 두꺼운 산화 아연 막이 형성되는 단계는,산화 아연 입자를 상기 지지체의 적어도 하나의 일 면에 소정의 회수로 딥-코팅하여 산화 아연 막이 형성되는 단계;를 포함하는 가스 분리 막의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 두꺼운 산화 아연 막의 두께는 상기 딥-코팅의 회수에 의해 조절되는 가스 분리 막의 제조 방법
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제14항에 있어서,상기 산화 아연 입자는 고온에서 제올라이트 이미다졸레이트 프레임워크-8 입자를 소성시킴으로써 획득된 것인 가스 분리 막의 제조 방법
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제16항에 있어서,상기 제올라이트 이미다졸레이트 프레임워크-8 입자는, 질산 아연 6수화물 및 2- 메틸이미다졸을 탈이온수 내에서 혼합하여 합성된 것인 가스 분리 막의 제조 방법
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지지체의 적어도 하나의 일 면에 두꺼운 산화 아연 막이 형성되는 단계;전이 금속 양이온을 이용하여 상기 두꺼운 산화 아연 막이 식각되어 상기 지지체의 적어도 하나의 일 면에 얇은 산화 아연 막이 형성되되, 상기 전이 금속 양이온의 종류 및 농도 중 적어도 하나에 따라서 식각 속도 및 식각 방향 중 적어도 하나가 결정되는 단계;상기 얇은 산화 아연 막을 변환시켜 중간 생성물을 생성하는 단계; 및상기 중간 생성물을 2차 성장시켜 상기 지지체의 적어도 하나의 일 면에 금속 유기 복합체 가스 분리막을 생성하여 획득하는 단계;를 통하여 제조되는 금속 유기 복합체 가스 분리 막
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산화 아연 나노볼트를 획득하는 단계; 및전이 금속 양이온을 이용하여 상기 산화 아연 나노볼트를 식각하여 산화 아연 나노너트를 획득하되, 상기 전이 금속 양이온의 종류 및 농도 중 적어도 하나에 따라서 상기 산화 아연 나노볼트에 대한 식각 속도 및 식각 방향 중 적어도 하나가 결정되는 단계;를 포함하는 산화 아연의 식각 방법
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