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금속 기판 상에 제 1 자기 조립 단분자층(Self-Assembled Monolayer; SAM)을 형성하는 단계;상기 제 1 자기 조립 단분자층 위에 패턴화된 마스크를 배치하고 자외선을 조사하는 단계;상기 자외선 조사를 받은 자기 조립 단분자층이 제거되고, 패턴화된 제 1 자기 조립 단분자층이 형성되는 단계;상기 기판을 금속 입자 용액에 침지시켜 금속 입자를 패턴화된 제 1 자기 조립 단분자층에 흡착시키는 단계; 및상기 금속 기판과 상기 금속 입자 사이에 제 1 갭(gap)이 형성되는 단계를 포함하고,상기 패턴화된 마스크의 패턴에 의해 상기 갭의 공간 분포를 조절하여 광학 효과를 제어하며,상기 제 1 갭은 나노미터 크기의 갭이고,상기 자기 조립 단분자층 위에 패턴화된 마스크를 배치하고 자외선 조사하는 단계에서 포토리소그래피 공정을 이용함으로써 나노미터 크기의 갭이 형성되고 나노미터 크기의 패턴이 제어되는,나노갭을 패터닝하여 형성하는 방법
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제 1 항에 있어서,상기 자기 조립 단분자층은 티올(thiol) 화합물로 이루어진,나노갭을 패터닝하여 형성하는 방법
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금속 기판 상에 제 1 자기 조립 단분자층(Self-Assembled Monolayer; SAM)을 형성하는 단계; 상기 제 1 자기 조립 단분자층 위에 패턴화된 마스크를 배치하고 자외선을 조사하는 단계; 상기 자외선 조사를 받은 자기 조립 단분자층이 제거되고, 패턴화된 제 1 자기 조립 단분자층이 형성되는 단계; 자외선 조사에 의해 제 1 자기 조립 단분자층이 제거된 영역에 제 2 자기 조립 단분자층을 추가로 형성하는 단계; 상기 기판을 금속 입자 용액에 침지시켜 금속 입자를 패턴화된 제 1 자기 조립 단분자층 및 패턴화된 제 2 자기 조립 단분자층에 흡착시키는 단계; 및상기 패턴화된 제 1 자기 조립 단분자층이 형성된 영역에서 상기 금속 기판과 상기 금속 입자 사이에 제 1 갭이 형성되고, 상기 패턴화된 제 2 자기 조립 단분자층이 형성된 영역에서 상기 금속 기판과 상기 금속 입자 사이에 제 2 갭이 형성되는 단계를 포함하고,상기 패턴화된 마스크의 패턴에 의해 상기 제 1 갭 및 상기 제 2 갭의 공간 분포를 조절하여 광학 효과를 제어하며,상기 제 1 갭 및 상기 제 2 갭은 나노미터 크기의 갭이고,상기 자기 조립 단분자층 위에 패턴화된 마스크를 배치하고 자외선 조사하는 단계에서 포토리소그래피 공정을 이용함으로써 나노미터 크기의 갭이 형성되고 나노미터 크기의 패턴이 제어되는,나노갭을 패터닝하여 형성하는 방법
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제 4 항에 따른 방법에 의해 형성된 갭으로서,상기 제 1 갭 및 상기 제 2 갭은 나노미터 크기의 갭이고,상기 제 1 갭 및 상기 제 2 갭은 패턴화되어 있고,상기 제 1 갭 및 상기 제 2 갭에 의해 플라즈몬 효과가 나타나고 제어되는,패턴화된 나노갭
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제 6 항에 있어서,상기 제 1 갭 및 상기 제 2 갭은 서로 상이한 두 종류 이상의 패턴의 갭들로 이루어질 수 있으며,이 경우 서로 상이한 패턴에 속하는 갭 간에는 광학 효과가 상이한,패턴화된 나노갭
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제 7 항에 있어서,서로 상이한 패턴에 속하는 갭은,자기 조립 단분자층의 물질이 상이하거나 또는 상기 자기 조립 단분자층에 흡착되는 금속 입자가 상이한,패턴화된 나노갭
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