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박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 다이오드

  • 기술번호 : KST2020002647
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 다이오드에 관한 것으로 보다 상세하게는 기판; 상기 기판 상에 위치한 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상의 전면에 위치하는 반도체층; 및 상기 반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극을 포함하고, 상기 반도체층은 금속 원소 및 할로겐 원소를 포함하고, 불순물이 도핑된 3성분계 이상의 다성분계 할라이드를 포함하는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를 포함하는 다이오드를 제공한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 29/861 (2006.01.01)
CPC H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01) H01L 29/78606(2013.01)
출원번호/일자 1020180107657 (2018.09.10)
출원인 동국대학교 산학협력단, 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0029674 (2020.03.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.10)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
2 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 노용영 대전광역시 유성구
2 김명길 서울특별시 강남구
3 아오 류 서울시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정연 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 *** *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)
2 강일신 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층 혜산빌딩(양재동)(시공특허법률사무소)
3 백두진 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***, *층(양재동, 혜산빌딩)(시공특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구
2 중앙대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동작구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2018-0895854-35
2 보정요구서
Request for Amendment
2018.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0148531-76
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-0999888-93
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.01.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.03.14 수리 (Accepted) 9-1-2019-0012121-65
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.29 수리 (Accepted) 4-1-2019-5151122-15
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.01 수리 (Accepted) 4-1-2019-5153932-16
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.08.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0587217-62
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-1042767-56
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2019.11.14 수리 (Accepted) 1-1-2019-1169070-31
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.11.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1169062-76
13 등록결정서
Decision to grant
2020.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0229844-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 위치한 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 전면에 걸쳐 위치한 게이트 절연막;상기 게이트 절연막 상의 전면에 위치하는 반도체층; 및상기 반도체층 상에 서로 이격되어 위치하는 소스/드레인 전극을 포함하고,상기 반도체층은 금속 원소 및 할로겐 원소를 포함하고, 불순물이 도핑된 3성분계 이상의 다성분계 할라이드를 포함하고,상기 금속 원소는 구리(Cu) 또는 은(Ag)을 포함하고, 상기 할로겐 원소는 요오드(I), 브롬(Br) 및 염소(Cl) 중 적어도 하나를 포함하고,상기 불순물은 납(Pb), 비스무트(Bi), 은(Ag), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 갈륨(Ga) 및 인듐(In) 중 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 불순물은 상기 반도체층에 대하여 0
6 6
기판을 제공하는 단계;상기 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판 전면에 걸쳐 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 상에 서로 이격되도록 소스전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 포함하고,상기 반도체층을 형성하는 단계에서상기 반도체층은 금속 원소 및 할로겐 원소를 포함하고, 불순물이 도핑된 3성분계 이상의 다성분계 할라이드를 포함하고,상기 다성분계 할라이드는 Cu(or Ag)-M-X로 구성되고,상기 M은 납(Pb), 비스무트(Bi), 은(Ag), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 갈륨(Ga) 및 인듐(In)중 적어도 하나를 포함하고, 상기 X는 요오드(I), 브롬(Br) 및 염소(Cl) 중 적어도 하나를 포함하는 박막 트랜지스터 제조 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 반도체층을 형성하는 단계에서상기 반도체층은 스핀코팅, 바코팅, 스프레이(Spray), 잉크젯(Inkjet), 플렉소그라피(Flexography), 스크린(Screen), Dip-Coating, 화학 증착(CVD), 원자층 증착(ADL), 스퍼터링, 열 증착(Thermal Evaporation) 및 그라비어(Gravure) 방법 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 박막 트랜지스터 제조 방법
8 8
삭제
9 9
제1항 및 제5항 중 어느 한 항에 따른 박막 트랜지스터 및 산화물 반도체층을 포함하는 다이오드
10 10
제9항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막과 상기 반도체층 사이에 배치되고,상기 박막 트랜지스터의 반도체층은 P형 반도체층이고,상기 산화물 반도체층은 N형 반도체층인 다이오드
11 11
제10항에 있어서,상기 산화물 반도체층은 IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide) 및 ITZO(Indium Tin Zinc Oxide) 중 어느 하나로구성되고,상기 박막 트랜지스터는 상기 다성분계 할라이드로 구성되는 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 동국대학교 글로벌프론티어지원 모바일 헬스케어용 인쇄형 센서 및 회로 개발