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메쉬 형태를 갖고, 도금법에 의해 형성된 베이스 기재; 및상기 베이스 기재에 위치하고, 도금법에 의해 형성된 제1 음극활물질층을 포함하고,상기 베이스 기재는 제1면 및 제2면과, 상기 베이스 기재의 제1면 및 상기 베이스 기재의 제2면을 연결하는 제1홀을 포함하고,상기 제1 음극활물질층은 상기 베이스 기재의 제1면 상에 형성되고,상기 제1 음극활물질층은 상기 베이스 기재의 제1홀의 측벽을 따라 비연장되는 이차 전지용 음극
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제 1 항에 있어서,상기 제1 음극활물질층은,상기 베이스 기재에 상기 도금법에 의해 형성된 제1 음극활물질층을 부착하거나, 또는 상기 베이스 기재 상에 상기 도금법에 의해 형성된 제1 음극활물질층을 직접 도금하는 것인 이차 전지용 음극
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제 1 항에 있어서,상기 제1 음극활물질층은 Sn계, Si계 또는 Sn 합금계인 것을 특징으로 하는 이차 전지용 음극
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제 1 항에 있어서,상기 베이스 기재 및 상기 음극활물질층은 도금층인 것을 특징으로 하는 이차 전지용 음극
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제 1 항에 있어서,상기 제1 음극활물질층은 메쉬 형태로 구성되며,상기 제1 음극활물질층은 복수의 메쉬 패턴 및 상기 메쉬 패턴의 사이에 위치하는 제2 홀을 포함하는 이차 전지용 음극
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제 1 항에 있어서,상기 베이스 기재의 제2면에 형성되고, 도금법에 의해 형성된 제2 음극활물질층을 포함하는 이차 전지용 음극
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제 6 항에 있어서,상기 제2 음극활물질층은, 복수의 제2메쉬 패턴 및 상기 제2메쉬 패턴의 사이에 위치하는 제2홀을 포함하는 이차 전지용 음극
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8
제 1 항에 있어서,상기 베이스 기재는 복수의 제1메쉬 패턴 및 상기 제1메쉬 패턴의 사이에 위치하는 상기 제1홀을 포함하고,상기 제1 음극활물질층은 메쉬 형태로 구성되며, 상기 제1 음극활물질층은 복수의 제2-1메쉬 패턴 및 상기 제2-1메쉬 패턴의 사이에 위치하는 제2-1홀을 포함하는 이차 전지용 음극
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제 8 항에 있어서,상기 베이스 기재의 제2면에 형성되고, 도금법에 의해 형성된 제2 음극활물질층을 더 포함하고,상기 제2 음극활물질층은 복수의 제2-2메쉬 패턴 및 상기 제2-2메쉬 패턴의 사이에 위치하는 제2-2홀을 포함하는 이차 전지용 음극
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10
메쉬 형태를 갖는 베이스 기재를 준비하는 단계; 및상기 베이스 기재에 도금법에 의해 형성된 제1 음극활물질층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 베이스 기재는 제1면 및 제2면과, 상기 베이스 기재의 제1면 및 상기 베이스 기재의 제2면을 연결하는 제1홀을 포함하고,상기 제1 음극활물질층은 상기 베이스 기재의 제1면 상에 형성되고,상기 제1 음극활물질층은 상기 베이스 기재의 제1홀의 측벽을 따라 비연장되는 이차 전지용 음극의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 베이스 기재에 도금법에 의해 형성된 제1 음극활물질층을 형성하는 단계는,상기 베이스 기재에 상기 도금법에 의해 형성된 제1 음극활물질층을 부착하거나, 또는 상기 베이스 기재 상에 상기 도금법에 의해 형성된 제1 음극활물질층을 직접 도금하는 것인 이차 전지용 음극의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 도금법은 습식도금법과 건식도금법을 포함하고, 상기 습식도금법은 전해도금법 및 무전해도금법을 포함하며, 상기 건식도금법은 스퍼터링법, CVD법 및 PECVD법을 포함하는 이차 전지용 음극의 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 베이스 기재를 준비하는 단계는, 도금법에 의해 상기 베이스 기재를 형성하는 것인 이차 전지용 음극의 제조방법
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