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코어부, 제1코팅층, 제2코팅층으로 이루어진 음극활물질의 제조방법으로서, (a) 코어부를 준비하는 단계;(b) 상기 코어부를 제1 열처리하여, 적어도 일 영역에 제1 코팅층이 형성된 코어부를 제조하는 단계; 및(c) 상기 제1 코팅층이 형성된 코어부를 제2 열처리하여 코어부과 제1 코팅층 사이에 제2 코팅층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 제1 열처리는 제2 열처리보다 더 높은 온도로 실시되는 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (a)단계에서 코어부는 TiC, SiC, Mo2C 및 Ti3SiC2로 구성된 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (b)단계에서 제1 열처리는 1000 내지 1400℃의 온도 하에서 30분 내지 90분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c)단계에서 제2 열처리는 400 내지 800℃의 온도 하에서 30분 내지 90분 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c)단계에서 제2 코팅층은 기공을 포함하는 것을 특징으로 하는 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 열처리 또는 상기 제2 열처리는 Ar, Cl2 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 가스 분위기 하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1 열처리 또는 상기 제2 열처리를 실시한 이후에 코어부와 제1 또는 제2 코팅층의 표면 상에 잔존하는 불순물을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 음극활물질의 제조방법
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제7항에 있어서, 상기 불순물을 제거하는 단계는 H2/Ar 분위기 하에서 400 내지 600℃의 온도로 1 내지 3시간 동안 실시되는 것을 특징으로 하는 음극활물질의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (c) 단계 이후에 (d) 코어부를 산화시키는 단계를 더 포함하고, 상기 산화는 O2 또는 HF의 존재 하에서 실시되는 것을 특징으로 하는 음극활물질의 제조방법
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코어부; 상기 코어부의 적어도 일 영역에 형성되는 제1 코팅층; 및상기 코어부와 제1 코팅층 사이에 형성되는 제2 코팅층을 포함하는 음극활물질
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제10항에 있어서, 상기 코어부는 SiOx, TiOx, Mo2Ox, 또는 Ti3SiOx 구성된 군에서 선택되며, 상기 x는 0≤x≤2를 만족하는 것을 특징으로 하는 음극활물질
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제10항에 있어서, 상기 제2 코팅층은 기공을 포함하는 것을 특징으로 하는 음극활물질
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기재 상에 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조된음극활물질이 도포되어 제조되는 음극
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제1항 내지 제9항 중 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 음극활물질을 포함하는 음극;상기 음극과 대면하는 양극; 및상기 음극과 양극 사이에 개재되는 세퍼레이터를 포함하는 이차전지
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