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(a) 실리카(silica)가 일부 함유되어 있는 실리콘계 분말과, 불화암모늄(NH4F) 및 산성불화암모늄((NH4)2HF2)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질을 혼합하는 단계; 및(b) 상기 불화암모늄(NH4F) 및 산성불화암모늄((NH4)2HF2)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질과 상기 실리콘계 분말이 혼합된 결과물을 열처리하여 상기 실리콘계 분말에 함유된 실리카가 암모늄 실리콘 불화물(ammonium fluorosilicate)로 전환되면서 휘발되게 하여 상기 (a) 단계의 실리콘계 분말에 비하여 실리카의 함량이 감소된 실리콘계 분말을 수득하는 단계를 포함하며,상기 열처리는 150℃보다 높고 상기 실리콘계 분말의 용융온도보다 낮은 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 분말의 순도 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계 후에,수득된 실리콘계 분말을 증류수를 포함하는 용액에 투입하여 실리콘계 분말에 잔류하는 불화물계 물질이 용해되게 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 분말의 순도 향상방법
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제2항에 있어서, 상기 증류수를 포함하는 용액은 알코올 및 아세톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 유기용매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 분말의 순도 향상방법
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제2항에 있어서, 상기 용액 내에 침전되어 있는 침전물을 선택적으로 분리해내는 단계; 및선택적으로 분리해낸 침전물에 함유된 불소 성분을 제거하기 위하여 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 분말의 순도 향상방법
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제4항에 있어서, 상기 침전물의 열처리는 200∼350℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 분말의 순도 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 불화암모늄 및 산성불화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질은 상기 실리콘계 분말에 함유된 실리카의 몰 수 대비 3∼30배의 몰 수로 혼합하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 분말의 순도 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 상기 열처리는 질소 기체, 비활성 기체 또는 진공 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 분말의 순도 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 상기 열처리는 200∼300℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 분말의 순도 향상방법
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제1항에 있어서, 상기 (b) 단계의 상기 열처리는 100∼150℃의 제1 온도로 승온하고 유지하는 단계; 및 150℃보다 높고 상기 실리콘계 분말의 용융온도보다 낮은 제2 온도로 승온하고 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 분말의 순도 향상방법
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(a) 실리카(silica)가 일부 함유되어 있는 실리콘계 분말과, 불화암모늄(NH4F) 및 산성불화암모늄((NH4)2HF2)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질을 혼합하는 단계; (b) 상기 불화암모늄(NH4F) 및 산성불화암모늄((NH4)2HF2)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질과 상기 실리콘계 분말이 혼합된 결과물을 열처리하여 상기 실리콘계 분말에 함유된 실리카가 암모늄 실리콘 불화물(ammonium fluorosilicate)로 전환되면서 휘발되게 하여 상기 (a) 단계의 실리콘계 분말에 비하여 실리카의 함량이 감소된 실리콘계 분말을 수득하는 단계;(c) 상기 (b) 단계에서 수득된 실리콘계 분말, 상기 (b) 단계에서 수득된 실리콘계 분말 100중량부에 대하여 도전재 5∼40중량부, 상기 (b) 단계에서 수득된 실리콘계 분말 100중량부에 대하여 바인더 5∼40중량부 및 상기 (b) 단계에서 수득된 실리콘계 분말 100중량부에 대하여 분산매 200∼1000중량부를 혼합하여 전극용 조성물을 제조하는 단계; (d) 상기 전극용 조성물을 압착하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 전극용 조성물을 금속 호일에 코팅하여 전극 형태로 형성하거나, 상기 전극용 조성물을 롤러로 밀어 시트 상태로 만들고 금속 호일에 붙여서 전극 형태로 형성하거나, 상기 전극용 조성물을 금속 집전체에 닥터블레이드 방법으로 캐스팅하여 전극 형태로 형성하는 단계; 및(e) 전극 형태로 형성된 결과물을 건조하여 리튬이온전지의 전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 열처리는 150℃보다 높고 상기 실리콘계 분말의 용융온도보다 낮은 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 리튬이온전지의 전극 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계 후에,수득된 실리콘계 분말을 증류수를 포함하는 용액에 투입하여 실리콘계 분말에 잔류하는 불화물계 물질이 용해되게 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이온전지의 전극 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 증류수를 포함하는 용액은 알코올 및 아세톤으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 유기용매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이온전지의 전극 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 용액 내에 침전되어 있는 침전물을 선택적으로 분리해내는 단계; 및선택적으로 분리해낸 침전물에 함유된 불소 성분을 제거하기 위하여 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이온전지의 전극 제조방법
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제13항에 있어서, 상기 침전물의 열처리는 200∼350℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 리튬이온전지의 전극 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (a) 단계에서, 상기 불화암모늄 및 산성불화암모늄으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 고체 물질은 상기 실리콘계 분말에 함유된 실리카의 몰 수 대비 3∼30배의 몰 수로 혼합하는 것을 특징으로 하는 리튬이온전지의 전극 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 상기 열처리는 질소 기체, 비활성 기체 또는 진공 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 리튬이온전지의 전극 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계에서 상기 열처리는 200∼300℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 리튬이온전지의 전극 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 (b) 단계의 상기 열처리는 100∼150℃의 제1 온도로 승온하고 유지하는 단계; 및 150℃보다 높고 상기 실리콘계 분말의 용융온도보다 낮은 제2 온도로 승온하고 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 리튬이온전지의 전극 제조방법
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