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복수의 시드 기판을 각각 지지하기 위한 복수의 서셉터 몸체; 상기 복수의 서셉터 몸체 및 복수의 시드 기판을 각각 덮으며, 가스 유입 통로 및 가스 배출 통로를 구비하는 복수의 덮개; 상기 복수의 서셉터 몸체 상에 형성되어, 상기 복수의 서셉터 몸체와 복수의 시드 기판 사이에 각각 배치된 복수의 희생층; 및 상기 서셉터 몸체 및 덮개를 각각 클램핑하기 위해, 상기 서셉터 몸체 및 덮개의 가장자리를 고정시키는 고정 클램프; 을 포함하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조용 서셉터
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제1항에 있어서,상기 복수의 시드 기판 각각은 상기 복수의 서셉터 몸체의 일측 가장자리에 각각 안착되는 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조용 서셉터
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제1항에 있어서,상기 서셉터 몸체는 복수개가 분리되며, 분리된 상기 복수의 서셉터 몸체가 수직 및 수평 방향으로 각각 적층된 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조용 서셉터
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제1항에 있어서,상기 복수의 서셉터 몸체 각각은 쿼츠 재질인 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조용 서셉터
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제1항에 있어서,상기 가스 유입 통로는 시드 기판이 배치되는 일측과 반대되는 타측의 측면에 배치되고, 상기 가스 배출 통로는 상기 덮개의 상면에 길이 방향을 따라 복수개가 일정한 간격으로 이격 배치된 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조용 서셉터
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제1항에 있어서,상기 가스 유입 통로는 상기 시드 기판의 측면 면적과 대응되는 면적으로 형성된 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조용 서셉터
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제1항에 있어서,상기 희생층은 SiO2 재질인 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조용 서셉터
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복수의 희생층이 형성된 복수의 서셉터 몸체의 일측 가장자리에 복수의 시드 기판을 각각 안착시킨 후, 상기 복수의 시드 기판을 각각 적층시킨 복수의 서셉터 몸체를 반응 챔버 내에 장입하는 단계; 상기 복수의 시드 기판을 이용한 측면성장으로 질화갈륨을 성장시켜 복수의 질화물 기판을 형성하는 단계; 상기 복수의 서셉터 몸체 상의 복수의 희생층을 제거하여, 상기 복수의 서셉터 몸체로부터 상기 복수의 시드 기판 및 복수의 질화물 기판을 분리시키는 단계; 및 상기 복수의 시드 기판 및 복수의 질화물 기판을 1차 커팅한 후, 상기 복수의 질화물 기판을 2차 커팅하는 단계;를 포함하며, 상기 장입 단계시, 상기 복수의 서셉터 몸체의 일측 가장자리에 복수의 시드 기판을 각각 안착시킨 후, 상기 복수의 서셉터 몸체 및 복수의 시드 기판을 가스 유입 통로 및 가스 배출 통로를 구비하는 덮개로 덮은 상태에서 장입하며, 상기 장입 단계시, 상기 서셉터 몸체 및 덮개의 가장자리를 고정 클램프로 고정시킨 상태에서 장입하는 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 장입 단계시, 상기 복수의 서셉터 몸체, 복수의 시드 기판 및 덮개는 수직 및 수평 방향으로 각각 적층시킨 상태에서 장입하는 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 복수의 질화물 기판은 상기 복수의 시드 기판에 질화수소 화합물을 공급하면서 700 ~ 1,100℃의 온도 범위 조건으로 실시하는 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 복수의 희생층은 플루오르화수소(HF) 용액 및 버퍼된 산화 식각(BOE) 용액 중 어느 하나를 이용한 에칭 방식으로 제거하는 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조 방법
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제9항에 있어서,상기 1차 커팅 후, 상기 복수의 시드 기판은 상기 복수의 질화물 기판으로부터 분리되는 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조 방법
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제15항에 있어서,상기 분리된 복수의 시드 기판은 재활용하여 재 사용하는 것을 특징으로 하는 측면성장법을 이용한 HVPE 방식의 질화물 기판 제조 방법
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