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기판:상기 기판 상부 방향으로 연장되는 절연 기둥;상기 절연 기둥의 측부에 배치되고 교호적으로 적층된 층간 절연막들과 제어 게이트 패턴들;상기 절연 기둥과 상기 제어 게이트 패턴들 사이에 차례로 배치되고, 상기 절연 기둥을 따라 연장되는 c축 배향된 산화물 반도체 채널층과 ZnO층; 및상기 ZnO층과 상기 각 제어 게이트 패턴 사이에 차례로 배치된 터널 절연막, 전하 포획층, 및 블로킹 절연막을 구비하는 수직형 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 산화물 반도체 채널층은 In-Ga 산화물층, In-Zn 산화물층, 또는 In-Ga-Zn 산화물층인 수직형 비휘발성 메모리 소자
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제2항에 있어서,상기 산화물 반도체 채널층은 In-Ga-Zn 산화물층이고,상기 산화물 반도체 채널층은 In, Ga, 및 Zn의 합계 원자수 대비 In을 약 60 내지 80 at% 포함하는 수직형 비휘발성 메모리 소자
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제1항에 있어서,상기 ZnO층의 두께는 3 내지 10 nm인 수직형 비휘발성 메모리 소자
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기판 상에 복수의 층간 절연막들과 복수의 제어 게이트막들을 교호적으로 적층하는 단계;상기 교호적으로 적층된 층간 절연막들과 제어 게이트막들을 관통하는 개구부를 형성하는 단계;상기 개구부의 측벽 상에 블로킹 절연막, 전하 포획층, 및 터널 절연막을 차례로 형성하는 단계;상기 터널 절연막이 형성된 개구부 내에 ZnO층을 원자층 증착법을 사용하여 형성하는 단계;상기 ZnO층이 형성된 개구부 내에 c축 배향된 산화물 반도체 채널층을 원자층 증착법을 사용하여 형성하는 단계; 및상기 c축 배향된 산화물 반도체 채널층이 형성된 개구부를 채우는 절연 기둥을 형성하는 단계를 포함하는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 산화물 반도체 채널층은 In-Ga-O 층, In-Zn-O 층, 또는 In-Ga-Zn-O 층인 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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제6항에 있어서,상기 산화물 반도체 채널층은 In-Ga-Zn-O층이고,상기 산화물 반도체 채널층 내에서 In, Ga, 및 Zn의 합계 원자수 대비 In은 약 60 내지 80 at%로 포함되는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 ZnO층의 두께는 3 내지 10 nm인 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 ZnO층과 상기 c축 배향된 산화물 반도체 채널층은 인시츄로 형성되는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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제5항에 있어서,상기 c축 배향된 산화물 반도체 채널층은 100 내지 300℃의 온도범위에서 형성되는 수직형 비휘발성 메모리 소자 제조방법
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