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기판 상에 복수의 픽셀 영역에 대응되게 형성되는 광전 변환 소자;상기 광전 변환 소자가 형성된 기판 상에 형성되는 배선층; 상기 배선층 상에 형성되고, 상기 광전 변환 소자에 대응되게 형성되는 컬러필터; 및상기 컬러필터 상에 형성되고, 모든 파장대역의 광으로서 가시광 파장대역, 적외선 파장대역, 및 자외선 파장대역의 광을 동시에 흡수하고, 상기 동시에 흡수되는 모든 파장대역의 광들 중에서, 가시광 파장대역의 광인 제1 가시광을 투과하고, 상기 동시에 흡수되는 모든 파장대역의 광들 중에서, 상기 자외선 파장대역의 광 및 상기 적외선 파장대역의 광을 상기 가시광 파장대역의 광과 동시에 흡수하여 특정 파장 영역의 제2 가시광으로 발광하는 양자점층;을 포함하고,상기 양자점층은 청색, 녹색 및 적색의 가시광선 파장대역의 광은 투과시키고, 청색의 가시광을 증폭시키는 청색 양자점층인 것을 특징으로 하고,상기 양자점층은 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnSeS, GaN, AlN, AlP, GaP, InN 및 그 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 광전 변환 소자에는 상기 제1 가시광 및 상기 제2 가시광이 동시에 입사되고, 상기 동시에 입사된 제1 가시광 및 상기 제2 가시광에 기초하여 이미지를 촬영하는 것을 특징으로 하는 양자점층을 포함하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 양자점층은 상기 자외선 파장대역의 광을 에너지-다운-쉬프트(energy-down-shift)시켜 상기 제2 가시광을 발광하는 것을 특징으로 하는 양자점층을 포함하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 양자점층은 상기 적외선 파장대역의 광을 에너지-업-쉬프트(energy-up-shift)시켜 상기 제2 가시광을 발광하는 것을 특징으로 하는 양자점층을 포함하는 이미지 센서
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기판 상에 복수의 픽셀 영역에 대응되게 형성되는 광전 변환 소자;상기 광전 변환 소자가 형성된 기판 상에 형성되는 배선층; 상기 배선층 상에 형성되고, 상기 광전 변환 소자에 대응되게 형성되는 컬러필터; 및상기 컬러필터 상에 형성되고, 모든 파장대역의 광으로서 가시광 파장대역, 적외선 파장대역, 및 자외선 파장대역의 광을 동시에 흡수하고, 상기 동시에 흡수되는 모든 파장대역의 광들 중에서, 가시광 파장대역의 광인 제1 가시광을 투과하고, 상기 동시에 흡수되는 모든 파장대역의 광들 중에서, 상기 자외선 파장대역의 광 및 상기 적외선 파장대역의 광을 상기 가시광 파장대역의 광과 동시에 흡수하여 특정 파장 영역의 제2 가시광으로 발광하는 양자점층;을 포함하고,상기 양자점층은 청색, 녹색 및 적색의 가시광선 파장대역의 광은 투과시키고, 적색의 가시광을 증폭시키는 적색 양자점층인 것을 특징으로 하고,상기 양자점층은 CdSe, CdTe, CdSeS, CdSeTe, CdSTe, CdZnTe, GaAs, InP, InAs, GaNAs, GaPAs, AlNAs, AlPAs, InNAs, InPAs, GaAlNAs, GaAlPAs, GaInNAs, GaInPAs, InAlNAs, InAlPAs 및 그 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 광전 변환 소자에는 상기 제1 가시광 및 상기 제2 가시광이 동시에 입사되고, 상기 동시에 입사된 제1 가시광 및 상기 제2 가시광에 기초하여 이미지를 촬영하는 것을 특징으로 하는 양자점층을 포함하는 이미지 센서
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기판 상에 복수의 픽셀 영역에 대응되게 형성되는 광전 변환 소자;상기 광전 변환 소자가 형성된 기판 상에 형성되는 배선층; 상기 배선층 상에 형성되고, 상기 광전 변환 소자에 대응되게 형성되는 컬러필터; 및상기 컬러필터 상에 형성되고, 모든 파장대역의 광으로서 가시광 파장대역, 적외선 파장대역, 및 자외선 파장대역의 광을 동시에 흡수하고, 상기 동시에 흡수되는 모든 파장대역의 광들 중에서, 가시광 파장대역의 광인 제1 가시광을 투과하고, 상기 동시에 흡수되는 모든 파장대역의 광들 중에서, 상기 자외선 파장대역의 광 및 상기 적외선 파장대역의 광을 상기 가시광 파장대역의 광과 동시에 흡수하여 특정 파장 영역의 제2 가시광으로 발광하는 양자점층;을 포함하고, 상기 양자점층은 청색, 녹색 및 적색의 가시광선 파장대역의 광은 투과시키고, 녹색의 가시광을 증폭시키는 녹색 양자점층인 것을 특징으로 하고,상기 양자점층은 CdS, CdSe, ZnTe, CdSeS, CdSTe, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnSe, CdZnTe, CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, GaP, InN, InP 및 그 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하며,상기 광전 변환 소자에는 상기 제1 가시광 및 상기 제2 가시광이 동시에 입사되고, 상기 동시에 입사된 제1 가시광 및 상기 제2 가시광에 기초하여 이미지를 촬영하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 양자점층을 포함하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 양자점층은 양자점 농도에 따라 투과율(transmittance)이 제어되는 것을 특징으로 하는 양자점층을 포함하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 양자점층은 CdZnS/ZnS 코어/쉘 양자점 또는 Mn-doped CdZnS/ZnS 코어/쉘 양자점을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점층을 포함하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 광전 변환 소자는 실리콘 기반의 포토다이오드인 것을 특징으로 하는 양자점층을 포함하는 이미지 센서
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제1항에 있어서, 상기 양자점층을 포함하는 이미지 센서는,상기 양자점층 상부 또는 하부에 마이크로 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점층을 포함하는 이미지 센서
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기판을 형성하는 단계;상기 기판 상에 복수의 픽셀 영역에 대응되도록 광전 변환 소자를 형성하는 단계;상기 광전 변환 소자 상에 배선층을 형성하는 단계; 상기 배선층 상에서 상기 광전 변환 소자의 위치에 대응되도록 컬러필터를 형성하는 단계; 및상기 컬러필터 상에 양자점층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 양자점층은 모든 파장대역의 광으로서 가시광 파장대역, 적외선 파장대역, 및 자외선 파장대역의 광을 동시에 흡수하고, 상기 동시에 흡수되는 모든 파장대역의 광들 중에서, 가시광 파장대역의 광인 제1 가시광을 투과하며, 상기 동시에 흡수되는 모든 파장대역의 광들 중에서, 상기 자외선 파장대역의 광 및 상기 적외선 파장대역의 광을 상기 가시광 파장대역의 광과 동시에 흡수하여 특정 파장 영역의 제2 가시광으로 발광하고, 상기 양자점층은 청색, 녹색 및 적색의 가시광선 파장대역의 광은 투과시키고, 청색의 가시광을 증폭시키는 청색 양자점층인 것을 특징으로 하고,상기 양자점층은 ZnS, ZnSe, ZnTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnSeS, GaN, AlN, AlP, GaP, InN 및 그 조합 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하며,상기 광전 변환 소자에는 상기 제1 가시광 및 상기 제2 가시광이 동시에 입사되고, 상기 동시에 입사된 제1 가시광 및 상기 제2 가시광에 기초하여 이미지를 촬영하는 것을 특징으로 하는 양자점층을 포함하는 이미지 센서의 제조 방법
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