| 1 |
1
베이스 구조체;상기 베이스 구조체를 덮고, 전이 금속 원소 및 칼코겐 원소를 포함하는 촉매층을 포함하되, 상기 촉매층에서 상기 전이 금속 원소에 대한 상기 칼코겐 원소의 조성비는 1
|
| 2 |
2
제1 항에 있어서, 상기 촉매층은, 비정질(amorphous)인 것을 포함하는 광전기화학 구조체
|
| 3 |
3
제1 항에 있어서, 상기 촉매층은, 상기 베이스 구조체를 덮고, 제1 전이 금속 원소 및 제1 칼코겐 원소를 포함하는 제1 촉매층; 및 상기 베이스 구조체 및 상기 제1 촉매층을 덮고, 제2 전이 금속 원소 및 제2 칼코겐 원소를 포함하는 제2 촉매층을 포함하되, 상기 제1 촉매층의 상기 제1 전이 금속 원소에 대한 상기 제1 칼코겐 원소의 조성비는, 상기 제2 촉매층의 상기 제2 전이 금속 원소에 대한 상기 제2 칼코겐 원소의 조성비 보다 낮은 것을 포함하는 광전기화학 구조체
|
| 4 |
4
제3 항에 있어서, 상기 제1 전이 금속 원소는 상기 제2 전이 금속 원소와 동일하고, 상기 제1 칼코겐 원소는 상기 제2 칼코겐 원소와 동일한 것을 포함하는 광전기화학 구조체
|
| 5 |
5
제1 항에 있어서, 상기 전이 금속 원소는 몰리브덴(Mo)을 포함하고, 상기 칼코겐 원소는 황(S)을 포함하는 광전기화학 구조체
|
| 6 |
6
제1 항에 있어서, 상기 베이스 구조체는, 일 방향으로 나란히 연장하는 복수의 필러(pillar)를 포함하는 광전기화학 구조체
|
| 7 |
7
제1 항에 있어서, 상기 베이스 구조체, 및 상기 촉매층 사이에 배치되고 산화물을 포함하는 패시베이션층을 더 포함하는 광전기화학 구조체
|
| 8 |
8
제1 항에 광전기화학 구조체; 상기 광전기화학 구조체와 마주보며 배치되는 상대 전극; 및 상기 광전기화학 구조체, 및 상기 상대 전극 사이에 배치되는 전해질을 포함하는 수소 생산 시스템
|
| 9 |
9
베이스 구조체를 준비하는 단계; 및상기 베이스 구조체 상에 전이 금속 원소를 포함하는 전이 금속 전구체 및 칼코겐 원소를 포함하는 칼코겐 전구체를 제공하여, 상기 전이 금속 원소 및 상기 칼코겐 원소를 포함하는 촉매층을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 전이 금속 전구체의 제공량 및 상기 칼코겐 전구체의 제공량을 제어하여, 상기 촉매층에서 상기 전이 금속 원소에 대한 상기 칼코겐 원소의 조성비를 1
|
| 10 |
10
제9 항에 있어서, 상기 촉매층 형성 단계는, 상기 베이스 구조체 상에, 제1 전이 금속 원소를 포함하는 제1 전구체 및 제1 칼코겐 원소를 포함하는 제2 전구체를 제공하여, 상기 제1 전이 금속 원소 및 상기 제1 칼코겐 원소를 포함하는 제1 촉매층 형성 단계; 및 상기 제1 촉매층 상에, 제2 전이 금속 원소를 포함하는 제3 전구체 및 제2 칼코겐 원소를 포함하는 제4 전구체를 제공하여, 상기 제2 전이 금속 원소 및 상기 제2 칼코겐 원소를 포함하는 제2 촉매층 형성 단계를 포함하되, 상기 제1 촉매층 형성 단계에서 제공되는 상기 제2 전구체의 양은, 상기 제2 촉매층 형성 형성 단계에서 제공되는 상기 제4 전구체의 양보다 적은 것을 포함하는 광전기화학 구조체의 제조 방법
|
| 11 |
11
제9 항에 있어서, 상기 촉매층 형성 단계는, 상기 베이스 구조체 상에 상기 전이 금속 전구체를 제공하는 단계; 및상기 전이 금속 전구체가 제공된 상기 베이스 구조체 상에 상기 칼코겐 전구체를 제공하는 단계를 포함하고, 상기 전이 금속 전구체 제공 단계, 및 상기 칼코겐 전구체 제공 단계는 하나의 유닛 공정(unit process)으로 정의되되, 상기 유닛 공정의 반복 횟수에 따라 상기 촉매층의 두께가 제어되는 것을 포함하는 광전기화학 구조체의 제조 방법
|
| 12 |
12
제11 항에 있어서, 상기 유닛 공정은 35회 초과로 반복 수행되는 것을 포함하는 광전기화학 구조체의 제조 방법
|
