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산화텅스텐 필름을 포함하는 광애노드에 관한 것으로,상기 산화텅스텐 필름은 하기 화학식 1의 산화텅스텐을 포함하고, 태양광 조사하에서 1
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제 1 항에 있어서,상기 산화텅스텐 필름의 밴드갭은 2
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제 1 항에 있어서,상기 산화텅스텐 필름의 두께는 50 내지 65 nm인 광애노드
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제 1 항에 따른 광애노드의 제조방법에 관한 것으로,텅스텐 호일을 산성 용액에 침지하여 초음파 처리하는 단계;상기 초음파 처리 후 텅스텐 호일 상에 산화텅스텐을 증착시키는 단계; 및 상기 산화텅스텐이 증착된 텅스텐 호일을 열처리하는 단계를 포함하는 광애노드의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 산화텅스텐은 하기 화학식 1의 산화텅스텐을 포함하는 광애노드의 제조방법:[화학식 1]WO3-n;상기 식 1에서, W는 W5+이고, n은 0
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제 4 항에 있어서,상기 초음파 처리하는 단계는 15 내지 30 분 동안 85 내지 100℃에서 수행하는 광애노드의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 산성 용액은 질산, 황산, 염산 또는 아세트산인 광애노드의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 산화텅스텐을 증착시키는 단계는 상기 초음파 처리된 텅스텐 호일을 산성 용액에 침지하여 15 내지 30 분 동안 85 내지 100℃에서 유지하는 광애노드의 제조방법
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제 4 항에 있어서,상기 열처리는 350 내지 550℃에서 수행하는 광애노드의 제조방법
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