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복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법으로서,티오우레아(CH4N2S) 함유 용액을 제조하는 단계(단계 a);상기 티오우레아(CH4N2S) 함유 용액을 복합체 산화물 막 위에 스핀 코팅하는 단계(단계 b); 및상기 스핀 코팅된 복합체 산화물 막을 열처리하는 단계(단계 c);를 포함하는 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법
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복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법으로서,티오우레아(CH4N2S) 함유 용액을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1 에서 제조한 용액을 복합체 산화물 용액과 혼합하는 단계(단계 2);상기 혼합 용액을 기판 상에 스핀 코팅하는 단계(단계 3);스핀 코팅된 혼합 용액을 핫 플레이트에서 경화하는 단계(단계 4); 및경화되어 형성된 층을 열처리하는 단계(단계 5);를 포함하는 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 복합체 산화물이 하기 식 (1) 로 나타내는 산화물인 것을 특징으로 하는 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 a 또는 단계 1 은 티오우레아(CH4N2S)를 에탄올 및 물을 포함하는 용매에 용해시켜 제조하는 단계인 것을 특징으로 하는 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법
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삭제
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 b 또는 단계 3 은 1000 내지 5000 rpm 으로 10 초 내지 1 분간 스핀 코팅하는 단계인 것을 특징으로 하는 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법
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제1항에 있어서,상기 단계 c 는 300 내지 500 ℃에서 열처리하는 단계와 550 내지 750 ℃ 에서 열처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법
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제2항에 있어서,상기 단계 4 는 200 내지 500 ℃ 에서 3 내지 15 분간 경화하는 단계인 것을 특징으로 하는 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법
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제2항에 있어서,상기 단계 5 는 400 내지 900 ℃ 에서 5 분 내지 2 시간 열처리 처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 단계 b 내지 c 또는 단계 3 내지 5 는 1 회 내지 10 회 반복되는 것을 특징으로 하는 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법
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제1항 또는 제2항에 기재된 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법에 의해 제조된 황 도핑 복합체 산황화물
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제11항에 있어서,상기 복합체 산황화물은 하기 식 (2) 로 나타내는 산황화물인 것을 특징으로 하는 복합체 산황화물
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제1항 또는 제2항에 기재된 복합체 산화물 막의 황 원소 치환 방법에 의해 산소가 모두 치환된 복합체 황화물로서, 하기 식 (3) 으로 나타내는 것을 특징으로 하는 복합체 황화물
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