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기판 상에 게이트 전극용 전도층을 적층하는 단계;상기 전도층 상에 유전체층을 적층하는 단계;상기 유전체층 상에 저차원 전자구조 물질로 구성되는 정공 주입용 소스 전극를 적층하는 단계;상기 소스 상에 발광층을 적층하는 단계;상기 발광층에 전자 주입용 드레인을 적층하는 단계를 포함하며,상기 저차원 전자구조 물질로 구성되는 전극은 단일층의 그래핀 전극이며, 상기 그래핀 전극은 질소 도핑, Au 도핑, Cl 도핑, F 도핑, 1,1-dibenzyl-4,4-bipyridinium dichloride(바이올로젠) 도핑, 알칼리금속 탄산화염 도핑, tetrafluorotetracyanoquinodimethane (F4-TCNQ) 도핑, fluoropolymer(CYTOP) 도핑에서 선택된 어느 하나의 물리 화학적 도핑으로 얻어지며, 상기 도핑된 단일층의 그래핀 전극은 세척 및 탈도핑을 행하는 것을 특징으로 하는 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 그래핀 전극은 FeCl3 또는 AuCl3로 도핑된 것을 특징으로 하는 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 기판은 유리, 강화유리, 석영, 파이렉스, 실리콘, PET(polyethylenceterephthalate), PEN(pilyethylenenaphthalate), PES(polyethersulfone), PI(polyimide), PC(polycarbonate), PU(polyurethane) 및 PTFE(polytetrafluoroethylene) 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 전도층은 ITO, IZO, SnO2, ATO, FTO, GZO, IGZO, 카본나노튜브, 그래핀, 은 나노와이어, 금속 나노와이어, 전도성 폴리머 및 고체전해질에서 선택된 어느 1종의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
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제13항에 있어서,상기 유전체층은 SiOx(x≥1), Al2O3, ZnO, Ta2O5, Nb2O5, HfO2, TiO2, In2O3, SiNx(x≥1), MgF2, CaF2, PET, PEN, PES, PI, PC 및 PTFE 에서 선택된 1종의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직형 유기 발광 트랜지스터의 제조방법
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