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코어 회로부가 형성된 화합물 반도체 칩 - 상기 코어 회로부는 전력 증폭기, 저잡음 증폭기 및 위상 천이기를 포함함 -;부가 회로부가 형성된 CMOS 반도체 칩 - 상기 부가 회로부는 상기 코어 회로부를 제어하는 제어 신호를 생성하는 디지털 제어부 및 상기 코어 회로부에서 필요한 전원을 관리하는 전원 관리부를 포함함 -; 및 상기 화합물 반도체 칩과 상기 CMOS 반도체 칩을 전기적으로 연결하는 N(2 이상의 정수)개의 본딩 와이어;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체 칩은 N개의 제1 단자를 더 포함하고, 상기 CMOS 반도체 칩은 N개의 제2 단자를 더 포함하며,상기 N개의 제1 단자와 상기 N개의 제2 단자 각각이 상기 N개의 본딩 와이어 각각에 의해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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제2항에 있어서, 상기 N개의 제2 단자는, 상기 CMOS 반도체 칩의 내에서 상기 디지털 제어부와 전기적으로 연결되는 N1(1 이상의 정수)개의 제2-1 단자 및 상기 CMOS 반도체 칩의 내에서 상기 전원 관리부와 전기적으로 연결되는 N2(1 이상의 정수)개의 제2-2 단자로 구성되며, 상기 N개의 제1 단자는, 상기 화합물 반도체 칩의 내에서 상기 코어 회로부와 전기적으로 연결되되, 상기 N1개의 제2-1 단자와 각각 전기적으로 연결되는 N1개의 제1-1 단자 및 상기 N2개의 제2-2 단자와 각각 전기적으로 연결되는 N2개의 제1-2 단자로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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제3항에 있어서, 상기 디지털 제어부에서 생성된 상기 제어 신호가 상기 N1개의 제2-1 단자에서 상기 N1개의 제1-1 단자로 전송되고, 상기 전원 관리부에서 생성된 바이어스 전압 및 기준 전류 중 적어도 하나가 상기 N2개의 제2-2 단자에서 상기 N2개의 제1-2 단자로 전송되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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코어 회로부가 형성된 화합물 반도체 칩 - 상기 코어 회로부는 전력 증폭기 및 저잡음 증폭기를 포함하는 N3(1 이상의 정수)개의 증폭부를 포함함 -;디지털 제어부, 전원 관리부 및 N3개의 위상 천이기를 포함하는 부가 회로부가 형성된 CMOS 반도체 칩 - 상기 디지털 제어부는 상기 코어 회로부를 제어하는 제어 신호를 생성하고, 상기 전원 관리부는 상기 코어 회로부에서 필요한 전원을 관리하고, 상기 N3개의 위상 천이기 각각은 상기 N3개의 증폭부 각각으로 인가되는 RF 신호를 출력함 -; 상기 화합물 반도체 칩과 상기 CMOS 반도체 칩을 전기적으로 연결하는 N(2 이상의 정수)개의 본딩 와이어;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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제5항에 있어서, 상기 화합물 반도체 칩은 N개의 제1 단자를 포함하고, 상기 CMOS 반도체 칩은 N개의 제2 단자를 포함하며, 상기 N개의 제1 단자와 상기 N개의 제2 단자 각각이 상기 N개의 본딩 와이어 각각에 의해 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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제6항에 있어서, 상기 N개의 제2 단자는, 상기 CMOS 반도체 칩의 내에서 상기 디지털 제어부와 전기적으로 연결되는 N1(1 이상의 정수)개의 제2-1 단자, 상기 CMOS 반도체 칩의 내에서 상기 전원 관리부와 전기적으로 연결되는 N2(1 이상의 정수)개의 제2-2 단자 및 상기 CMOS 반도체 칩의 내에서 상기 N3개의 위상 천이기와 전기적으로 연결되는 N3개의 제2-3 단자로 구성되고, 상기 N개의 제1 단자는, 상기 화합물 반도체 칩의 내에서 상기 코어 회로부와 전기적으로 연결되되, 상기 N1개의 제2-1 단자와 각각 전기적으로 연결되는 N1개의 제1-1 단자, 상기 N2개의 제2-2 단자와 각각 전기적으로 연결되는 N2개의 제1-2 단자 및 상기 N3개의 제2-3 단자와 각각 전기적으로 연결되는 하나의 제1-3 단자로 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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제7항에 있어서, 상기 디지털 제어부에서 생성된 상기 제어 신호가 상기 N1개의 제2-1 단자에서 상기 N1개의 제1-1 단자로 전송되고, 상기 전원 관리부에서 생성된 바이어스 전압 및 기준 전류 중 적어도 하나가 상기 N2개의 제2-2 단자에서 상기 N2개의 제1-2 단자로 전송되고, 상기 N3개의 위상 천이기 각각에서 출력된 RF 신호가 상기 N3개의 제2-3 단자에서 상기 N3개의 제1-3 단자로 전송되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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제5항에 있어서, 상기 N3개의 증폭부 및 상기 N3개의 위상 천이기는 빔포밍을 수행하기 위해 동작하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치
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