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내부에 위치하는 상부 공간 및 하부 공간을 포함하며, 상기 하부 공간에 대응하는 저부에 종자정이 안착되는 도가니;상기 도가니의 상기 상부 공간에 위치하여 탄화규소 분말이 장입되며, 상기 종자정의 중앙 영역과 대응하는 상기 상부 공간의 중앙 공간을 둘러싸는 분말 받침대;상기 도가니를 둘러싸며, 상기 상부 공간의 상기 중앙 공간과 대응하는 개구부들을 포함하는 단열재;상기 단열재의 외부에 위치하며, 상기 도가니를 가열하는 가열부; 및상기 도가니의 상기 상부 공간과 상기 하부 공간 사이에 위치하며, 상기 종자정과 중첩하는 다공성 흑연판을 포함하며,상기 다공성 흑연판은 상기 상부 공간의 상기 중앙 공간으로부터 상기 하부 공간으로 이동하는 복사열의 일부를 차단하며,상기 종자정의 상기 중앙 영역의 온도는 상기 종자정의 상기 중앙 영역을 둘러싸는 상기 종자정의 테두리 영역의 온도 대비 낮은 탄화규소 단결정 성장 장치
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제1항에서,상기 하부 공간은 상기 저부와 상기 저부와 이웃하는 경사진 측벽에 의해 정의되는 탄화규소 단결정 성장 장치
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제1항에서,상기 다공성 흑연판은 개기공(open pore) 구조를 가지는 탄화규소 단결정 성장 장치
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제1항에서,상기 다공성 흑연판의 기공률은 10% 이상인 탄화규소 단결정 성장 장치
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제1항에서,상기 도가니를 수용하는 석영관을 더 포함하며,상기 가열부는 상기 석영관 외부에 위치하는 탄화규소 단결정 성장 장치
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제1항에서,상기 단열재의 상기 개구부들은,상기 도가니의 상기 상부 공간의 상기 중앙 공간과 대응하여 상기 도가니의 상측 외부 표면을 노출하는 제1 개구부; 및상기 종자정의 상기 중앙 영역과 대응하여 상기 도가니의 하측 외부 표면을 노출하는 제2 개구부를 포함하는 탄화규소 단결정 성장 장치
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제1항에 따른 탄화규소 단결정 성장 장치의 상기 분말 받침대에 상기 탄화규소 분말을 장입하고, 상기 도가니의 상기 저부에 상기 종자정을 안착하는 단계;상기 도가니를 가열하는 단계;상기 상부 공간으로부터 상기 하부 공간으로 이동하는 복사열의 적어도 일부를 상기 다공성 흑연판으로 차단하는 단계; 및상기 종자정의 표면에 중앙이 볼록한 컨벡스(convex) 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계를 포함하는 탄화규소 단결정 성장 방법
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제7항에서,상기 컨벡스 타입의 탄화규소 단결정을 성장시키는 단계는 상기 종자정의 상기 중앙 영역의 온도가 상기 종자정의 상기 중앙 영역을 둘러싸는 상기 종자정의 테두리 영역의 온도 대비 낮도록 수행하는 탄화규소 단결정 성장 방법
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