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방사성 금속계 화합물 함유 액적을 암모니아 기체와 접촉시키기 위한 제1 경화부;상기 제1 경화부에서 얻어진 방사성 금속계 화합물 함유 액적의 표면을 암모니아수 분무에 접촉시키는 제2 경화부; 및상기 제2 경화부에서 얻어진 방사성 금속계 화합물 함유 액적을 겔화시키는 암모니아수 용액을 수용하기 위한 겔화조;를 포함하고,상기 방사성 금속계 화합물 함유 액적의 평균 직경(D50)이 3 내지 10 mm이고,상기 제1 경화부, 제2 경화부 및 겔화조는 중력 방향으로 순차적으로 배치되고,상기 제1 경화부는 상기 암모니아 기체를 공급하기 위한 가스공급밸브를 포함하고,상기 제2 경화부는 상기 암모니아수 분무를 공급하기 위한 스프레이 노즐을 포함하며,방사성 금속계 염 함유 원료 용액으로부터 상기 방사성 금속계 화합물 함유 액적을 형성하기 위한 진동 노즐을 더 포함하고, 상기 진동 노즐은 7 내지 20 Hz의 주파수를 갖는 초음파 발생을 위한 진동자를 포함하며,상기 암모니아수 분무는 10 내지 14 M의 암모니아수 저장조로부터 분사되어서 형성되는 것인 방사성 금속계 겔형 중간체의 제조 장치
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청구항 1에 있어서,상기 제1 경화부는 상기 방사성 금속계 화합물 함유 액적 3
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청구항 1에 있어서,상기 암모니아수 분무는 10 내지 14 M(몰농도)의 암모니아수 저장조로부터 정상 상태일 때의 공기 압력(게이지 압력)이 0
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청구항 1에 있어서,상기 방사성 금속계 화합물 함유 액적 3
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청구항 1에 있어서,상기 겔화조 내의 암모니아수 용액의 농도는 4 내지 8 M(몰농도)인 것인 방사성 금속계 겔형 중간체의 제조 장치
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청구항 1의 방사성 금속계 겔형 중간체의 제조 장치와, 하소(calcination)부 및 소결(sintering)부를 포함하는 방사성 금속계 핵연료 입자의 제조 장치
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방사성 금속계 화합물 함유 액적을 가스공급밸브를 통해서 공급된 암모니아 기체와 접촉시키는 제1 경화 단계;상기 제1 경화 단계에서 얻어진 방사성 금속계 화합물 함유 액적의 표면을 스프레이 노즐을 통해서 분사된 암모니아수 분무에 접촉시키는 제2 경화 단계; 및상기 제2 경화 단계에서 얻어진 방사성 금속계 화합물 함유 액적을 암모니아수 용액에 통과시키는 겔화 단계;를 포함하고,상기 방사성 금속계 화합물 함유 액적의 평균 직경(D50)이 3 내지 10 mm이고,상기 제1 경화 단계, 제2 경화 단계 및 겔화 단계는 중력 방향으로 순차적으로 수행되고,상기 제1 경화 단계 이전에, 방사성 금속계 염 함유 원료 용액으로부터 진동 노즐을 통하여 상기 방사성 금속계 화합물 함유 액적을 형성하는 단계를 더 포함하며, 상기 진동 노즐은 7 내지 20 Hz의 주파수를 갖는 초음파 발생을 위한 진동자를 포함하고,상기 제2 경화 단계에서의 암모니아수 분무는 10 내지 14 M의 암모니아수 저장조로부터 분사되어서 형성되는 것인 방사성 금속계 겔형 중간체의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 방사성 금속계 화합물 함유 액적은 실질적으로 구형인 것인 방사성 금속계 겔형 중간체의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 방사성 금속계 화합물 함유 액적의 평균 직경(D50)은 3 내지 4 mm인 것인 방사성 금속계 겔형 중간체의 제조 방법
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청구항 10에 있어서,상기 제1 경화 단계에서의 암모니아 기체는 상기 방사성 금속계 화합물 함유 액적 3
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청구항 10에 있어서,상기 제2 경화 단계에서의 암모니아수 분무는 10 내지 14 M(몰농도)의 암모니아수 저장조로부터 정상 상태일 때의 공기의 압력(게이지 압력) 0
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청구항 10에 있어서,상기 방사성 금속계 화합물 함유 액적 3
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청구항 10에 있어서,상기 겔화 단계에서의 암모니아수 용액의 농도는 4 내지 8 M(몰농도)인 것인 방사성 금속계 겔형 중간체의 제조 방법
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청구항 10의 방사성 금속계 겔형 중간체의 제조 방법으로 얻어진 방사성 금속계 겔형 중간체를 하소(calcination) 및 소결(sintering)시키는 단계를 포함하는 방사성 금속계 핵연료 입자의 제조 방법
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