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제1표면성질을 가진 기판의 제1영역을 제2표면성질로 표면처리하는 제1단계; 유기 반도체 고분자를 내상에 포함하고, 계면활성제를 포함하는 에멀전을 상기 기판 위에 코팅하는 제2단계; 및 상기 코팅된 기판을 건조하고 알코올로 세척하여 계면활성제를 제거하는 제3단계;를 단위 코팅 공정으로 포함하며, 상기 제1표면성질 및 상기 제2표면성질은 각각 친수성 또는 소수성이며 서로 상이한 것을 특징으로 하는 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제2단계에서 에멀전은 수중유형(oil-in-water) 에멀전인 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 유기 반도체 고분자의 측쇄와 계면활성제의 소수기는 동족체인 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 유기 반도체 고분자의 측쇄의 직쇄상 탄소수 CP와 계면활성제의 소수기의 직쇄상 탄소수 CS는 하기 관계식을 만족하는 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 계면활성제는 (C10-C16)지방족 양이온성 계면활성제인 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단위 코팅 공정을 친수성 기판의 제1영역과 다른 영역에서 수행하는 것을 더 포함하는 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 알코올은 (C2-C4)알코올을 포함하는 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 패턴의 두께는 10 내지 100 nm인 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 패턴의 표면조도(Rrms)는 10 nm 이하인 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1표면성질을 가진 기판의 제1영역은 기판 상에 자기조립 단분자층 또는 소수성 고분자층이 형성된 것인 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 제1단계는, 제1표면성질을 가진 기판의 제1영역에 자기조립 화합물을 도포하는 단계를 포함하고, 상기 자기조립 화합물은 알코올, 아민, 카르복실산 및 티올로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 관능기를 포함하는 화합물인 것인 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 단위 코팅 공정을 2회 이상 포함하되, 각 단위 코팅 공정에 포함되는 유기 반도체 고분자는 동일하거나 상이할 수 있는 유기 반도체 고분자 패턴의 제조방법
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제1항 내지 제12항에서 선택되는 어느 한 항에 따른 제조방법으로 제조된 유기 반도체 고분자 패턴
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제13항의 유기 반도체 고분자 패턴을 포함하는 광전소자
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