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금속을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계;상기 전구체 박막에 황 소스 및 셀레늄 소스를 공급하면서 프리-어닐링하는 단계; 및상기 프리-어닐링된 전구체 박막을 셀렌화 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 전구체 박막을 프리-어닐링하는 단계는 상기 전구체 박막 내부에 셀렌화황화금속 화합물층을 형성하는 것을 특징으로 하고,상기 셀렌화 열처리하는 단계에서, 상기 셀렌화황화금속 화합물층이 황 공급원으로 이용되어 상기 전구체 박막에 밴드 갭 구배를 형성하는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 박막이 구리(Cu), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 박막은 Sn층/Zn층/Cu층 구조, Sn층/Cu층/Zn층 구조, Zn층/Cu층/Sn층 구조, Zn층/Sn층/Cu층 구조, Cu층/Sn층/Zn층 구조, 또는 Cu층/Zn층/Sn층 구조를 포함하는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 금속을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계는 스퍼터링 공정, 증발 공정, 용액 공정 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나의 공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전구체 박막을 프리-어닐링하는 단계는 250℃ 내지 400℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 황 소스는 기체 상태로 공급되고 상기 셀레늄 소스는 고체상태로 공급되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 황 소스는 기체 상태의 H2S를 포함하고, 상기 셀레늄 소스는 고체 상태의 Se 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 셀렌화황화금속 화합물층은 ZnSSe를 포함하는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 셀렌화 열처리하는 단계는 400℃ 내지 600℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 제조방법
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제1항에 있어서,상기 셀렌화 열처리하는 단계는 밀폐된 챔버 내에서 기체 상태의 H2S 및 고체 상태의Se금속이 기화된 Se가스 분위기에서 수행 되는 것을 특징으로 하는 CZTSSe계 박막 제조방법
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기판 상에 후면 전극을 형성하는 단계;상기 후면 전극 상에 금속을 포함하는 전구체 박막을 형성하는 단계;상기 전구체 박막에 황 소스 및 셀레늄 소스를 공급하면서 프리-어닐링하는 단계; 및상기 프리-어닐링된 전구체 박막을 셀렌화 열처리하는 단계;를 포함하고,상기 전구체 박막을 프리-어닐링하는 단계는 상기 전구체 박막 내부에 셀렌화황화금속 화합물층을 형성하는 것을 특징으로 하고,상기 셀렌화 열처리하는 단계에서, 상기 셀렌화황화금속 화합물층이 황 공급원으로 이용되어 상기 전구체 박막에 밴드 갭 구배를 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 기판이 유리 기판인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 후면 전극이 몰리브덴 전극인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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제11항에 있어서,상기 전구체 박막을 프리-어닐링하는 단계는 250℃ 내지 400℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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제11항에 있어서,상기 황 소스는 기체 상태로 공급되고 상기 셀레늄 소스는 고체상태로 공급되는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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제11항에 있어서,상기 황 소스는 기체 상태의 H2S를 포함하고, 상기 셀레늄 소스는 고체 상태의 Se 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지 제조방법
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