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제1 투명 전도체막;상기 제1 투명 전도체막 상에 형성되고, 입사광에 의해서 전기 스파이크(spike)를 생성하는 아연 산화막;상기 아연 산화막 상에 형성되는 바나듐 산화막; 및상기 바나듐 산화막 상에 형성되는 제2 투명 전도체막을 포함하는 투명 뉴로모픽 센서
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제1 항에 있어서,상기 바나듐 산화막은 V2O5를 포함하는 투명 뉴로모픽 센서
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제1 항에 있어서,상기 제1 및 제2 투명 전도체막은 각각 ITO, FTO, 금속 나노와이어 및 유기물 도전체(PEDOT) 중 적어도 하나를 포함하는 투명 뉴로모픽 센서
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제1 항에 있어서,상기 아연 산화막 및 상기 바나듐 산화막은 투명한 투명 뉴로모픽 센서
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제1 항에 있어서,상기 제1 투명 전도체막 및 상기 제2 투명 전도체막에 연결되어 외부 전압을 인가하는 전원을 더 포함하는 투명 뉴로모픽 센서
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제5 항에 있어서,상기 스파이크의 크기는 상기 외부 전압의 크기에 따라 달라지는 투명 뉴로모픽 센서
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7
제5 항에 있어서,상기 스파이크의 생성 주기는 상기 외부 전압의 크기에 따라 달라지는 투명 뉴로모픽 센서
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8
제7 항에 있어서,상기 스파이크의 응답 시간은 상기 외부 전압이 커질수록 커지는 투명 뉴로모픽 센서
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9
제1 항에 있어서,상기 아연 산화막은 제1 두께를 가지고,상기 스파이크의 크기는 상기 제1 두께에 따라 결정되는 투명 뉴로모픽 센서
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10
입사광에 의해서 전기 스파이크를 생성하고, 제1 두께로 형성되는 아연 산화막;상기 아연 산화막 상에 형성되고, 제2 두께로 형성되는 바나듐 산화막; 및외부 전압이 인가되고, 상기 아연 산화막의 아래와 상기 바나듐 산화막 상에 각각 형성되는 제1 및 제2 투명 전도체막을 포함하는 투명 뉴로모픽 센서
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11
제10 항에 있어서,상기 제2 두께는 제1 두께보다 작은 투명 뉴로모픽 센서
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제10 항에 있어서,상기 바나듐 산화막은 상기 아연 산화막에서 발생되어 상기 제2 투명 전도체막으로 향하는 전자의 흐름을 차단하는 투명 뉴로모픽 센서
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