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투명 기판;상기 투명 기판 상에 형성되는 투명 전도체막;상기 투명 전도체막 상에 형성되는 투명한 아연 산화막;상기 아연 산화막 상에 형성되는 투명한 페로브스카이트막;상기 페로브스카이트막 상에 형성되는 투명한 니켈 산화막을 포함하는 저항 스위치 소자로,상기 저항 스위치 소자는 가시광 영역에서 투명한 저항 스위치 소자
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제1 항에 있어서,상기 페로브스카이트막은 (C4H9NH3)2PbBr4를 포함하는 저항 스위치 소자
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제1 항에 있어서,상기 페로브스카이트막은 상기 아연 산화막 및 상기 니켈 산화막과 접촉하고,상기 니켈 산화막은 p형 도전형을 갖는 저항 스위치 소자
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제1 항에 있어서,상기 아연 산화막과 상기 니켈 산화막을 통해서 전압을 인가하는 전원을 더 포함하는 저항 스위치 소자
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제4 항에 있어서,상기 전원에 대한 저항은 다중 레벨(multi level)인 저항 스위치 소자
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제5 항에 있어서,상기 전원은 바이어스 전원과 펄스 전원을 포함하고,상기 저항은 상기 펄스 전원의 인가 후에 변하는 저항 스위치 소자
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제6 항에 있어서,상기 저항은 상기 펄스 전원의 크기에 따라 변하는 저항 스위치 소자
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제7 항에 있어서,상기 저항은 상기 펄스 전원의 크기가 클수록 작아지는 저항 스위치 소자
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제5 항에 있어서,상기 전원은 펄스 전원이고,상기 저항 스위치 소자는 상기 저항이 변하는 과도 동작과,상기 과도 동작 후에 고정된 저항을 가지는 포화 동작을 수행하는 저항 스위치 소자
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제9 항에 있어서,상기 과도 동작에서는 상기 펄스 전원의 사이클이 진행됨에 따라서 상기 펄스 전원의 피크에 대응하는 전류가 포화 전류에 가까워지고,상기 포화 동작에서는 상기 펄스 전원의 피크에 대응하는 전류가 포화 전류로 유지되는 저항 스위치 소자
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제1 항에 있어서,상기 페로브스카이트막은 복수의 나노구조체를 포함하는 저항 스위치 소자
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제1 항에 있어서,상기 투명 전도체막은 FTO(fluorine-doped tin oxide)를 포함하는 저항 스위치 소자
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FTO막이 코팅된 유리 기판을 제공하고,상기 FTO막 상에 ZnO막을 형성하고,상기 ZnO막 상에 페로브스카이트막을 형성하고,상기 페로브스카이트막 상에 NiO막을 형성하는 것을 포함하되,상기 페로브스카이트막은 (C4H9NH3)2PbBr4를 포함하고,상기 페로브스카이트막을 형성하는 것은,DMSO(dimethyl sulfoxide) 내에 BuABr 및 PbBr2를 용해시켜 용해액을 형성하고,상기 용해액을 교반하고,상기 용해액을 실린지 필터(syringe filter)로 필터링하여 페로브스카이트 용액을 형성하고,상기 페로브스카이트 용액을 스핀코팅하는 것을 포함하는 저항 스위치 소자의 제조 방법으로,상기 저항 스위치 소자는 가시광 영역에서 투명한 저항 스위치 소자의 제조 방법
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제13 항에 있어서,상기 페로브스카이트막을 형성하는 것은,상기 스핀코팅 이후에 열처리를 하는 것을 더 포함하는 저항 스위치 소자의 제조 방법
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제13 항에 있어서,상기 ZnO막을 형성하는 것은, 상기 ZnO막을 상온에서 RF 스퍼터링을 통해 형성하는 저항 스위치 소자의 제조 방법
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제13 항에 있어서,상기 NiO막을 형성하는 것은, 상기 NiO막을 상온에서 리액티브 스퍼터링을 통해 형성하는 저항 스위치 소자의 제조 방법
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