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기재층, 전도성 고분자 층, 및 기재층과 전도성 고분자층이 인접한 면의 타면에 형성된 전극을 포함하는 열전 소자; 및 태양전지를 포함하고,열전 소자에 포함된 전도성 고분자 층의 제벡 계수는 하기 일반식 1을 만족하고,열전 소자에 포함된 전도성 고분자 층의 제벡 계수가 25 내지 230 ㎶/K 범위이며,열전 소자에 포함된 전도성 고분자 층의 전기전도도가 160 S/cm 이하인 발전 장치:[일반식 1]Y= a/L + b상기 일반식 1에서, Y는 제벡 계수(Seebeck coefficient, 단위: ㎶/K)이고, L은 전기전도도(electrical conductivity, 단위: S/cm)이며, a는 5 내지 20의 범위 내의 수이고, b는 25 내지 150의 범위 내의 수이다
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제 1 항에 있어서,열전 소자에 포함된 전도성 고분자 층의 제벡 계수는 하기 일반식 2를 만족하는 것인 발전 장치:[일반식 2]Y= c/L + d상기 일반식 2에서, Y는 제벡 계수(Seebeck coefficient, 단위: ㎶/K)이고, L은 전기전도도(electrical conductivity, 단위: S/cm)이며, c는 5 내지 13의 범위 내의 수이고, b는 25 내지 135의 범위 내의 수이다
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