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기판 상의 코팅 막 패턴이 형성되지 않는 비 패터닝 영역에 마스크 레이어로서의 희생 층을 형성하는 희생 층 형성 단계;상기 희생 층의 상부면과 상기 기판의 상부면 상에 상기 코팅 막 패턴으로 되는 목표 층을 형성하는 목표 층 형성 단계; 및상기 비 패터닝 영역에 레이저를 조사하여 상기 비 패터닝 영역의 상기 희생 층을 제거하는 것에 의해 상기 희생층 상부의 목표 층 영역을 함께 제거하여 잔류하는 목표 층들로 형성되는 코팅막 패턴을 형성하는 패터닝 단계;를 포함하는 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생 층 형성 단계는,레이저에 의해 가열되어 제거되는 폴리머(polymer)를 상기 비 패터닝 영역에 선택적으로 도포하여 상기 희생 층을 형성하는 단계인 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 희생 층 형성 단계의 상기 선택적 도포 방법은,잉크젯, EHD젯, 노즐젯, 그라비어오프셋, 리버스오프셋 중 어느 하나의 인쇄 기법을 포함하는 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생 층 형성 단계는,포토레지스트를 상기 기판의 표면에 도포한 뒤 상기 비 패터닝 영역만 선택적으로 경화시키고 나머지 부분을 제거시킴으로써 상기 기판의 비 패터닝 영역에 상기 희생 층을 선택적으로 형성하는 단계인 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 4 항에 있어서, 상기 희생 층 형성 단계는,상기 포토레지스트를 500 내지 5,000 RPM으로 스핀 코팅하여 상기 희생 층을 형성하는 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 희생 층 형성 단계는,상기 희생 층의 두께를 50 nm 내지 500 nm 범위를 가지도록 형성하는 단계인 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 목표 층 형성 단계는,투명 산화물을 코팅하여 상기 목표 층으로 형성하는 단계인 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 목표 층 형성 단계는,가시광영역(400nm~700nm)에서 70% 이상의 광투과도를 가지는 투명 산화막 층을 목표 층으로 형성하는 단계인 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 패터닝 단계는,펄스 듀레이션이 1 내지 100 나노초인 펄스 레이저를 조사하여 수행되는 단계인 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 패터닝 단계는,빔 반경이 1 내지 50 ㎛인 펄스 레이저를 조사하여 수행되는 단계인 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 패터닝 단계는,플루언스가 100 내지 100,00 mJ/cm2인 펄스 레이저를 조사하여 수행되는 단계인 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 패터닝 단계는,오버랩 율(Roverlap)이 30 ~ 90%로 펄스 레이저를 조사하여 수행되는 단계인 레이저와 희생 층을 이용한 코팅 막 패터닝 방법
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