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기재; 및 상기 기재 상에 형성되고, 산화 바나듐 클러스터를 포함하는 열변색층을 포함하는 광학 적층체를 제조하는 방법에 있어서,산화바나듐 입자를 포함하는 용액을 기재 상에 도포하여 도포층을 형성하는 형성 단계;광을 조사하여 도포층의 유기물을 제거하는 광증발 단계; 및광을 조사하여 도포층에 포함되어 있는 산화바나듐 입자를 광소결시켜 산화 바나듐 클러스터를 포함하는 열변색층을 제조하는 광소결 단계를 포함하는 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 광소결 단계에서 광의 출력 전압은, 광증발 단계에서 광의 출력 전압 보다 높은 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 광증발 단계 및 광소결 단계는 일정한 펄스 폭을 갖고 반복적으로 광을 조사하되, 광소결 단계에서 광의 반복 조사 횟수는, 광증발 단계에서 광의 반복 조사 횟수 이하인 광학 적층체의 제조 방법
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제 3 항에 있어서, 광소결 단계에서 광의 펄스 폭은, 광증발 단계에서 광의 펄스 폭보다 작은 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 형성 단계는 용액을 기재 상에 도포하는 제1 도포 단계; 및제1 도포 단계에서 도포된 도포층 상에 용액을 도포하는 제2 도포 단계를 포함하는 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 형성 단계는 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅에 의해 수행되는 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 광증발 단계 및 광소결 단계는 대기 분위기 하에서 수행되는 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 산화 바나듐 클러스터의 크기는 20 내지 250nm인 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 열변색층은 하기 일반식 1을 만족하는 광학 적층체의 제조 방법:[일반식 1]1≤S(%)≤20상기 식에서 S는 화상해석장치에 의해 시료의 상면을 촬영한 화상을 분석하여 측정한 공극의 면적율을 나타낸다
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제 1 항에 있어서, 열변색층의 두께는 0
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제 1 항에 있어서,적층체는 400 내지 800 nm 영역에서 투과도의 최대값이 50% 이상인 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,적층체는 임계 온도 이상의 임의의 온도에서 2000 내지 3000nm 영역에서 투과도의 최소값이 70% 이하인 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,적층체는 하기 일반식 2의 조건을 만족시키는 광학 적층체의 제조 방법:[일반식 2]BPmin - Opmin ≥ 10 %상기 일반식 2에서 BPmin는 임계온도 이하의 임의의 온도에서 2000 내지 3000nm에서 투과도의 최소값을 나타내고, OPmin는 임계온도 이상의 임의의 온도에서 2000 내지 3000nm에서 투과도의 최소값을 나타낸다
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제 1 항에 있어서, 상기 열변색층과 기재의 접착강도는 50N/m 이상인 광학 적층체의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기재는 유리, 석영 또는 고분자 필름인 광학 적층체의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 고분자 필름은 유리전이 온도가 70℃ 이상인 고분자를 포함하는 광학 적층체의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 고분자 필름은 1축 이상으로 연신되고, 120 ℃에서 1 시간 동안 노출시 수축율이 3% 미만인 광학 적층체의 제조 방법
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