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기재; 및상기 기재 상에 형성되고, 볼록부가 패턴화된 제1 패턴 영역 및 오목부가 패턴화된 제2 패턴 영역을 포함하는 열변색층을 포함하고,상기 제1 패턴 영역은 제1 산화 바나듐 입자를 포함하며,상기 제2 패턴 영역은 제1 산화 바나듐 입자와 상이한 크기를 가지는 제2 산화 바나듐 입자를 포함하는 광학 적층체
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제 1 항에 있어서, 제1 산화 바나듐 입자의 평균 직경은 50 내지 200 nm인 광학 적층체
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제 1 항에 있어서, 열변색층의 패턴 주기는 10 내지 1000㎛인 광학 적층체
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제 1 항에 있어서, 제1 패턴 영역의 크기는 102 내지 10002㎛2이고,제2 패턴 영역의 패턴 폭은 1 내지 100㎛인 광학 적층체
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제 1 항에 있어서, 제1 패턴 영역은 하기 일반식 1을 만족시키는 광학 적층체:[일반식 1]1 ≤S(%)≤ 20상기 식에서 S는 화상해석장치에 의해 시료의 상면을 촬영한 화상을 분석하여 측정한 공극의 면적율을 나타낸다
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제 5 항에 있어서, 제2 패턴 영역은 상기 일반식 1에 따라 측정한 공극의 면적율(S)이 30 내지 60 %인 광학 적층체
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제 1 항에 있어서, 상기 기재는 유리, 석영 또는 고분자 필름인 광학 적층체
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제 7 항에 있어서, 고분자 필름은 폴리올레핀 필름, 폴리에스테르 필름, 폴리염화비닐, 또는 셀룰로오스 필름인 광학 적층체
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제 1 항에 있어서,적층체는 200 내지 800 nm 영역에서 투과도의 최대값이 45% 이상인 광학 적층체
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제 1 항에 있어서,적층체는 하기 일반식 2의 조건을 만족시키는 광학 적층체:[일반식 2]BPmin - OPmin ≥ 20 %상기 일반식 2에서 BPmin는 임계온도 이하의 임의의 온도에서 2000 내지 3000nm에서 투과도의 최소값을 나타내고, OPmin는 임계온도 이상의 임의의 온도에서 2000 내지 3000nm에서 투과도의 최소값을 나타낸다
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기재 상에 감광성 수지를 포함하는 용액을 도포하여 제1 도포층을 형성하는 단계;포토 마스크를 이용하여 제1 도포층으로부터 감광성 수지가 존재하는 볼록부와 감광성 수지가 존재하지 않는 오목부로 패턴화된 패턴 전구층을 형성하는 단계;산화바나듐 입자를 포함하는 용액을 패턴 전구층 상에 도포하여 제2 도포층을 형성하는 단계; 상기 패턴 전구층을 제거하여 상기 제2 도포층에 패턴 전구층의 오목부의 반전 패턴인 볼록부가 패턴화된 제1 패턴 영역 및 상기 패턴 전구층의 볼록부의 반전 패턴인 오목부가 패턴화된 제2 패턴 영역을 형성하는 단계;제2 도포층으로부터 용매를 제거하는 제거 단계; 및광을 조사하여 상기 제2 도포층에 포함되어 있는 산화 바나듐 입자를 광소결시키는 단계를 포함하는 제1 항의 광학 적층체의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 제1 및 제2 도포층을 형성하는 단계는, 스핀 코팅 또는 스프레이 코팅에 의해 수행되는 광학 적층제의 제조방법
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