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플라즈마에 의하여 그 표면의 오염 물질이 제거되는 시편(T)을 지지하기 위한 시편 홀더(101)(102)에 있어서: 상기 시편 홀더(101)(102)는, 상기 시편(T)이 지지되는 홀더 바디(110); 및 상기 홀더 바디(110)의 선단에 구비되고, 상기 시편(T)이 그 내부에 배치되는 쉴드 하우징(121)(122); 을 포함하고, 상기 쉴드 하우징(121)(122)에는, 상기 시편(T)에 접촉하는 플라즈마가 통과하고, 플라즈마가 통과하는 방향으로 기설정된 길이(L)를 갖는 다수개의 홀(121H)(122H)이 형성되고, 상기 시편(T)은, 플라즈마가 상기 홀(121H)(122H)을 통과하는 방향으로의 상기 홀(121H)(122H)의 사영(projection, 射影)의 내부에 위치되는 시편 홀더
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제 1 항에 있어서, 상기 쉴드 하우징(121)(122)은, 상기 홀(121H)(122H)이 형성되는 적어도 그 일부가 평편하게 형성되는 시편 홀더
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제 1 항에 있어서, 상기 홀(121H)(122H)의 길이(L)는 5mm 이상의 값으로 설정되는 시편 홀더
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플라즈마가 방사되는 플라즈마 에칭 챔버(21)의 내부에 배치되고, 시편(T)이 그 선단에 지지되는 홀더 바디(110); 및 상기 홀더 바디(110)의 선단에 지지된 상기 시편(T)을 차폐하고, 상기 플라즈마 에칭 챔버(21)의 내부로 공급되는 플라즈마가 선택적으로 통과하는 다수개의 홀(121H)(122H)이 형성되는 쉴드 하우징(121)(122); 을 포함하고, 상기 홀(121H)(122H)은, 플라즈마가 통과하는 방향으로 기설정된 길이(L)를 갖고, 상기 시편(T)은, 플라즈마가 상기 홀(121H)(122H)을 통과하는 방향으로의 상기 홀(121H)(122H)의 사영(projection, 射影)의 내부에 위치되어 상기 플라즈마 에칭 챔버(21)의 내부로 방사된 플라즈마 중 일부만 상기 홀(121H)(122H)을 통과하여 상기 시편(T)에 전달되는 시편 홀더
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제 5 항에 있어서, 상기 쉴드 하우징(121)은, 그 일부가 평편하게 형성되어 정의되는 플렛부(121F)를 포함하는 중공의 원통 형상으로 형성되고, 상기 홀(121H)은, 상기 플렛부(121F)에 천공되어 형성되는 시편 홀더
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제 5 항에 있어서, 상기 쉴드 하우징(122)은, 중공의 다면 기둥 형상으로 형성되고, 상기 홀(122H)은, 상기 쉴드 하우징(122)의 일면에 천공되어 형성되는 시편 홀더
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제 5 항에 있어서, 상기 홀(121H)(122H)의 길이(L)는 5mm 이상의 값으로 설정되는 시편 홀더
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플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생 유닛(10); 및 상기 플라즈마 발생 유닛(10)에서 발생된 플라즈마가 전달되어 시편(T)에 잔존하는 오염 물질의 제거를 위한 플라즈마 에칭이 이루어지는 플라즈마 에칭 유닛(20); 을 포함하고, 상기 플라즈마 에칭 유닛(20)은, 상기 플라즈마 발생 유닛(10)에서 발생된 플라즈마에 의하여 상기 시편(T)의 플라즈마 에칭이 이루어지는 플라즈마 에칭 챔버(21); 및 상기 플라즈마 에칭 챔버(21)의 내부에서 상기 시편(T)을 지지하는 제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항의 시편 홀더(101)(102); 를 포함하는 플라즈마 에칭 장치
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제 9 항에 있어서, 상기 플라즈마 에칭 챔버(21)는, 상기 플라즈마 발생 유닛(10)의 하방에 배치되고, 상기 시편 홀더(101)는, 상기 홀(121H)이 상방을 향하도록 상기 플라즈마 에칭 챔버(21)의 내부에 배치되는 플라즈마 에칭 장치
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