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스퍼터링을 위한 펄스 레이저를 생성하여 조사하는 펄스레이저광원부;초전도체 소재와 자속고정점 소재를 다중 타겟으로 구비하여, 초전도체 박막 스퍼터링증착과 자속고정점 소재 스퍼터링증착을 번갈아 수행하는 스퍼터링타겟부;초전도체 층의 증착과, 증착된 초전도체 층에 상기 자속고정점 소재가 산화물로 삽입되는 과정이 반복 수행되어 복수의 자속고정점을 가지는 초전도체 층이 적층된 초전도체 박막이 증착 형성되는 기판;상기 펄스 레이저가 투과되는 투과창이 형성되고, 상기 스퍼터링타겟부와 상기 기판이 내부에 배치되는 케이스와, 상기 케이스 내부를 진공으로 하는 진공펌프부를 포함하여 구성되는 진공챔버; 및상기 펄스레이저광원부와 스퍼터링타겟부 및 상기 진공펌프부를 제어하는 제어부;를 포함하여 구성되는 자속고정점을 가지는 초전도체 박막 제작 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 펄스레이저광원부는,UV 레이저 펄스를 조사하도록 구성되는 자속고정점을 가지는 초전도체 박막 제작 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 제어부는상기 초전도체 소재에 대하여는 440 ~ 450 펄스를 조사하고, 상기 자속고정점 소재에 대하여는 1~5펄스를 조사하는 것에 의해,상기 초전도체 층 내부에 상기 자속고정점 소재가 0
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청구항 1에 있어서, 상기 초전도체 소재는 철 칼코겐(Ce-FeSexTe1-x)이고,상기 자속고정점 소재는 산화세륨(CeO2)이며,상기 산화세륨(CeO2)에 의해 나노변형된 자속고정점을 포함하는 초전도박막층은 Ce- Ce-FeSexTe1-x 층인 자속고정점을 가지는 초전도체 박막 제작 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 스퍼터링타겟부(20)는,상기 제어부(30)의 제어에 따라 회전하면서 초전도체 소재 증발원(14a)과 자속고정점 소재 증발원(14b)이 교대로 펄스 레이저에 조사되는 것에 의해 상기 기판(5)에 스퍼터링 증착되도록, 상기 초전도체 소재 증발원(14a)과 상기 자속고정점 소재 증발원(14b)이 일정 각도로 이격 장착되어 회전하는 다중 타겟 캐러셀(carousel)(21);을 포함하여 구성되는 자속고정점을 가지는 초전도체 박막 제작 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 스퍼터링타겟부(20A)는,초전도체 소재가 증착된 초전도체 증착층(9a)과 자속고정점 소재가 증착된 자속고정점 소재 증착층(9b)이 표면에 교대로 증착된 필름(8);상기 필름(8)을 감은 상태에서 풀어 공급하는 풀기릴(7); 및상기 풀기릴(7)에서 공급되는 필름(8)이 상기 펄스 레이저의 초점부를 지나 되감기는 되감기릴(6);을 포함하여 구성되고,상기 제어부(30)는,상기 초전도체 증착층(9a)과 상기 자속고정점 소재 증착층(9b)이 형성된 필름(8)이 펄스 레이저의 초점부를 지나도록 이송시키고, 상기 펄스 레이저에 의해 상기 기판(5)에 반복적으로 초전도체 층의 스퍼터링 증착과 자속고정점 소재의 스퍼터링 증착을 수행하여 자속고정점 소재가 포함된 초전도체 층을 적층하는 것에 의해 초전도체 박막을 형성하도록 상기 스퍼타링타겟부(20A)와 상기 펄스레이저광원부(10)를 제어하도록 구성되는 자속고정점을 가지는 초전도체 박막 제작 장치
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청구항 1에 있어서, 상기 스퍼터링타겟부(20B)는,필름(8);상기 필름(8)을 감은 상태에서 풀어 공급하는 풀기릴(7);상기 풀기릴(7)에서 공급되는 필름(8)이 상기 펄스 레이저의 초점부를 지나 되감기는 되감기릴(6); 및상기 제어부(30)의 제어(30)에 따라, 상기 펄스 레이저의 초점부의 전단에서 기화되어 상기 필름(8) 상에 초전도체 증착층(9a)과 자속고정점 소재 증착층(9b)을 교대로 증착시키는 초전도체 소재 증발원(14a)과 자속고정점 소재 증발원(14b)을 포함하는 증발원(14);을 포함하여 구성되고,상기 제어부(30)는,상기 펄스레이저광원부(10)와, 상기 초전도체 소재 증발원(14a)과 자속고정점 소재 증발원(14b) 및 상기 풀기릴(7)과 되감기릴(6)을 포함하는 스퍼터링타겟부(20B)를 제어하여,상기 필름(8) 상에 상기 초전도체 증착층(9a)과 상기 자속고정점 소재 증착층(9b)을 교대로 증착시키고,상기 초전도체 증착층(9a)과 상기 자속고정점 소재 증착층(9b)이 교대로 상기 기판(5)에 스퍼터링증착됨으로써, 자속고정점 소재가 삽입된 초전도체 층이 복수로 적층되어 자속고정점을 가지는 초전도체 박막을 형성하도록 구성되는 자속고정점을 가지는 초전도체 박막 제작 장치
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펄스 레이저를 이용하여 기판에 초전도체 소재를 증착하여 초전도체 층을 증착형성하고,상기 초전도체 층에 자속고정점 소재를 증착에 의해 삽입시켜 상기 초전도체 층 단결정에 나노변형을 유발하여 자속고정점을 생성하고,상기 초전도체 층을 증착 형성하는 과정과 상기 자속고정점 소재를 증착에 의해 상기 초전도층에 삽입하여 나노변형을 유발하는 것에 의해 자속고정점을 생성하는 과정을 기 설정된 횟수로 반복 수행하여 자속고정점 소재가 삽입된 초전도체 층을 복수 적층하는 것에 의해 형성되는 자속고정점을 가지는 초전도체 박막
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청구항 8에 있어서,상기 초전도체 층을 증착 형성하는 과정과 상기 자속고정점 소재를 증착에 의해 상기 초전도층에 삽입하여 나노변형을 유발하는 것에 의해 자속고정점을 생성하는 과정을 기 설정된 횟수로 반복 수행하여 자속고정점 소재가 삽입된 초전도체 층이 복수 적층되어 형성되는 자속고정점을 가지는 초전도체 박막
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10
청구항 8에 있어서,상기 초전도체 층 내부에 상기 자속고정점 소재가 0
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청구항 8에 있어서,상기 초전도체 소재는 철 칼코겐(Ce-FeSexTe1-x)이고,상기 자속고정점 소재는 산화세륨(CeO2)이며,상기 자속고정점을 가지는 초전도체 박막은 산화세륨(CeO2)이 자속고정점으로 삽입되어 철 칼코겐 단결정에 나노변형이 유발된 Ce- Ce-FeSexTe1-x 층이 복수로 적층 형성되는 자속고정점을 가지는 초전도체 박막
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