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스핀 선택성 화합물을 포함하는 유기전계발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2020003802
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스핀 선택성 화합물을 포함하는 유기전계발광소자 및 그 제조방법이 개시된다. 유기전계발광소자는, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 및 전극층을 포함하며, 상기 정공주입층 및 상기 전자주입층 중 어느 하나 이상에 스핀 선택 및 필터 화합물을 더 포함하고, 상기 헬리컬 화합물은 상기 정공주입층에서의 정공이 하나의 스핀 상태만을 선택하도록 기능하거나, 상기 전자주입층 또는 상기 전자수송층에서의 전자가 상기 하나의 스핀 상태만을 선택하도록 기능하며, 상기 정공과 상기 전자는 상기 전자주입층과 상기 정공주입층 사이의 상기 발광층에서 엑시톤 스핀 단일항 상태를 형성한다.
Int. CL H01L 51/00 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01)
CPC H01L 51/0072(2013.01) H01L 51/0072(2013.01) H01L 51/0072(2013.01)
출원번호/일자 1020180116318 (2018.09.28)
출원인 조선대학교산학협력단, 고려대학교 산학협력단, 조사라
등록번호/일자 10-2135505-0000 (2020.07.13)
공개번호/일자 10-2020-0036543 (2020.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20200826) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.09.28)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구
2 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
3 조사라 대한민국 광주광역시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창훈 광주광역시 서구
2 권영완 서울특별시 성북구
3 조사라 대한민국 광주광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
2 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구
3 조사라 대한민국 광주광역시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-0962673-28
2 보정요구서
Request for Amendment
2018.10.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0152680-10
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2018.11.02 수리 (Accepted) 1-1-2018-1089029-80
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2018-1230631-21
5 [출원인지분변경]권리관계변경신고서
[Applicant Share Change] Report on Change of Proprietary Status
2018.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2018-1243284-85
6 보정요구서
Request for Amendment
2018.12.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2018-0196773-77
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2018-1263876-62
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2019.03.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2019.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0103538-63
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2019.10.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0735043-08
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2019.12.11 수리 (Accepted) 1-1-2019-1282742-88
13 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2020.01.13 수리 (Accepted) 1-1-2020-0037296-25
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2020.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2020-0145190-40
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2020.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0145191-96
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5071333-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5088703-88
18 등록결정서
Decision to grant
2020.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0417811-00
19 [명세서등 보정]보정서(심사관 직권보정)
2020.08.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-5019936-65
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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애노드;캐소드;상기 애노드과 캐소드 사이에 배열되는 발광층;상기 애노드와 상기 발광층 사이에 배열되는 정공주입층;상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 배열되는 전자주입층과 전자전달층; 및상기 전자주입층 및 전자전달층 중 어느 하나와 상기 정공주입층에 함유되는 스핀 선택성 화합물을 포함하며,상기 스핀 선택성 화합물은 헬리컬(helical) 구조를 갖는 유기화합물을 포함하고, 상기 헬리컬(helical) 구조를 갖는 유기화합물은 폴리사이클릭 방향족 화합물이고, 상기 폴리사이클릭 방향족 화합물은 7 내지 9개의 고리 구조(cyclic structure)를 가지며,상기 전자주입층 또는 전자전달층 중 어느 하나 및 상기 정공주입층은 금속착물(metal complex) 및 자유 라디칼을 함유하는 유기 화합물 중 어느 하나 이상을 더 포함하고, 상기 금속 착물은 8-히드록시퀴놀린의 알루미늄 착물이고,상기 스핀 선택성 화합물은 상기 정공주입층에서의 정공이 +1/2 및 -1/2의 두 가지 상태 중 어느 하나의 스핀 상태를 선택하도록 기능하고 상기 전자주입층 또는 상기 전자전달층에서의 전자가 상기 하나의 스핀 상태를 선택하도록 기능하며, 여기서 상기 정공과 상기 전자는 상기 발광층에서 엑시톤 스핀 단일항 상태를 형성하는, 유기전계발광소자
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청구항 1에 있어서,상기 폴리사이클릭 방향족 화합물은 포르피린 또는 상기 포르피린의 유도체를 포함하는 유기전계발광소자
9 9
애노드;캐소드;상기 애노드과 캐소드 사이에 배열되는 발광층;상기 애노드와 상기 발광층 사이에 배열되는 정공주입층;상기 캐소드와 상기 발광층 사이에 배열되는 전자주입층과 전자전달층; 및상기 전자주입층 및 전자전달층 중 어느 하나와 상기 정공주입층에 함유되는 스핀 선택성 화합물을 포함하며,상기 스핀 선택성 화합물은 키랄성(chirality) 저분자 유기화합물 또는 그래핀을 바탕으로 하는 그래핀 나노 솔레노이드(graphene nanosolenoid)이며,상기 전자주입층 및 전자전달층 중 어느 하나와 상기 정공주입층은 금속착물(metal complex) 및 자유 라디칼을 함유하는 유기 화합물 중 어느 하나 이상을 더 포함하고, 상기 금속 착물은 8-히드록시퀴놀린의 알루미늄 착물이며,상기 스핀 선택성 화합물은 상기 정공주입층에서의 정공이 +1/2 및 -1/2의 두 가지 상태 중 어느 하나의 스핀 상태를 선택하도록 기능하고, 상기 전자주입층 또는 상기 전자전달층에서의 전자가 상기 하나의 스핀 상태를 선택하도록 기능하며, 여기서 상기 정공과 상기 전자는 상기 발광층에서 엑시톤 스핀 단일항 상태를 형성하는, 유기전계발광소자
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청구항 9에 있어서,상기 그래핀 나노 솔레노이드는 그래핀 헬리코이드(graphene helicoid)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자
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유기전계발광소자의 제조방법으로서,기판 일면에 위치하는 애노드 상에 스핀 선택성 화합물을 포함한 정공주입층을 형성하는 단계;상기 정공주입층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 스핀 선택성 화합물을 포함한 전자주입층을 형성하는 단계; 및상기 전자주입층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 정공주입층을 형성하는 단계는 스핀 선택성 화합물을 포함한 정공주입층 재료를 단분자 증착방식에 의해 형성하고,상기 전자주입층을 형성하는 단계는 스핀 선택성 화합물을 포함한 전자주입층 재료를 단분자 증착방식에 의해 형성하며,상기 스핀 선택성 화합물은 키랄성(chirality) 저분자 유기화합물 또는 그래핀 헬리코이드이며,상기 전자주입층 및 전자전달층 중 어느 하나와 상기 정공주입층은 금속착물(metal complex) 및 자유 라디칼을 함유하는 유기 화합물 중 어느 하나 이상을 더 포함하고, 상기 금속 착물은 8-히드록시퀴놀린의 알루미늄 착물인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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유기전계발광소자의 제조방법으로서,기판 일면에 위치하는 애노드 상에 스핀 선택성 화합물을 포함한 정공주입층을 형성하는 단계;상기 정공주입층 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 스핀 선택성 화합물을 포함한 전자주입층을 형성하는 단계; 및상기 전자주입층 상에 음극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 정공주입층을 형성하는 단계 또는 상기 전자주입층을 형성하는 단계는 액정 배향막과 액정상을 이용하여 층을 형성하고,상기 스핀 선택성 화합물은 헬리컬(helical) 구조를 갖는 유기화합물을 포함하고, 상기 헬리컬(helical) 구조를 갖는 유기화합물은 폴리사이클릭 방향족 화합물이고, 상기 폴리사이클릭 방향족 화합물은 7 내지 9개의 고리 구조(cyclic structure)를 가지며,상기 전자주입층 및 상기 정공주입층은 금속착물(metal complex) 및 자유 라디칼을 함유하는 유기 화합물 중 어느 하나 이상을 더 포함하고, 상기 금속 착물은 8-히드록시퀴놀린의 알루미늄 착물인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
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청구항 14 또는 청구항 15에 있어서,상기 정공주입층을 형성하는 단계 또는 상기 전자주입층을 형성하는 단계는 잉크젯 인쇄, 롤투롤 코팅, 스크린 인쇄, 스프레이 코팅, 딥 코팅 및 스핀 코팅 중 어느 하나의 방식에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.