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발광소자

  • 기술번호 : KST2020003803
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 소자의 제조 방법은, 성장 기판 상에 차례로 GaN 버퍼층, 제1 n형 GaN층, 제1 다중 양자 우물층, 제1 p형 AlGaN층, 및 제1 p형 GaN층을 형성하는 단계; 상기 p형 GaN층, 상기 p형 AlGaN층, 및 상기 제1 다중 양자 우물층을 국부적으로 제거하는 단계; 및 상기 제1 다중 양자 우물층이 국부적으로 제거된 위치에 제2 n형 GaN층, 제2 다중 양자 우물층, 제2 p형 AlGaN층, 및 제2 p형 GaN층을 형성하는 단계; 를 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2010.01.01) H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 33/12 (2010.01.01) H01L 33/20 (2010.01.01) H01L 33/50 (2010.01.01) H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/26 (2010.01.01) H01L 27/15 (2006.01.01) H01L 33/62 (2010.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020200038748 (2020.03.31)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0037180 (2020.04.08) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2018-0052012 (2018.05.04)
관련 출원번호 1020180052012
심사청구여부/일자 Y (2020.03.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 서울특별시 서초구
2 김대현 서울특별시 동대문구
3 박재성 경기도 동두천시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 누리 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2020.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2020-0333909-81
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2020.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0303471-84
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2020.05.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2020-0541018-94
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서
 2020.05.28 수리 (Accepted) 1-1-2020-0541003-10
5 등록결정서
Decision to grant		 2020.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0746776-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
성장 기판 상에 차례로 GaN 버퍼층, 제1 n형 GaN층, 제1 다중 양자 우물층, 제1 p형 AlGaN층, 및 제1 p형 GaN층을 형성하는 단계;상기 p형 GaN층, 상기 p형 AlGaN층, 및 상기 제1 다중 양자 우물층을 국부적으로 제거하는 단계; 및상기 제1 다중 양자 우물층이 국부적으로 제거된 위치에 제2 n형 GaN층, 제2 다중 양자 우물층, 제2 p형 AlGaN층, 및 제2 p형 GaN층을 형성하는 단계; 상기 제1 p형 GaN층 및 상기 제2 p형 GaN층 상에 제1 절연층을 형성하는 단계;상기 제1 절연층, 상기 제1 p형 GaN층, 상기 제1 p형 AlGaN층, 및 상기 제1 다중 양자 우물층을 패터닝하여 상기 제1 n형 GaN층을 노출시키어 제1 콘택 홀들 그리고 상기 제1 절연층, 상기 제2 p형 GaN층, 상기 제2 p형 AlGaN층, 및 상기 제2 다중 양자 우물층을 패터닝하여 상기 제2 n형 GaN층을 노출시키는 제2 콘택 홀들을 형성하는 단계;상기 제1 절연층을 패터닝하여 상기 제1 p형 GaN층 및 상기 제2 p형 GaN층을 각각 노출시키는 보조 콘택 홀들을 형성하는 단계;상기 제1 콘택 홀들, 상기 제2 콘택 홀들 및 상기 보조 콘택 홀들의 측벽에 절연 측벽을 이방성 식각으로 형성하는 단계;상기 제1 콘택 홀들을 채우는 제1 콘택 플러그들 및 상기 제2 콘택 홀들 채우는 제2 콘택 플러그들을 형성하는 단계; 상기 보조 콘택 홀들을 채우는 보조 콘택 플러그들을 형성하는 단계; 상기 제1 콘택 플러그들, 상기 제2 콘택 플러그들 및 상기 보조 콘택 플러그들 상에 배치된 중간 도전 패드를 형성하는 단계;상기 GaN 버퍼층 및 상기 GaN 버퍼층 상부에 적층된 상기 제1 다중 양자 우물층을 포함하는 층들을 국부적으로 식각하여 상기 제1 다중 양자 우물층을 포함하는 제1 발광 구조체를 형성하는 단계;상기 GaN 버퍼층 및 상기 GaN 버퍼층 상부에 적층된 상기 제2 다중 양자 우물층을 포함하는 층들을 국부적으로 식각하여 상기 제2 다중 양자 우물층을 포함하는 제2 발광 구조체를 형성하는 단계; 및상기 GaN 버퍼층 및 상기 GaN 버퍼층 상부에 적층된 상기 제1 다중 양자 우물층을 포함하는 층들을 국부적으로 식각하여 상기 제1 다중 양자 우물층을 포함하는 제3 발광 구조체를 형성하는 단계;를 포함하고,상기 제1 발광 구조체, 상기 제2 발광 구조체, 및 상기 제3 발광 구조체는 서로 이격되어 배치된 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 제1 다중 양자 우물층은 GaN 장벽층과 InxGayN 우물층을 포함하고,x+y=1 이고, x는 0
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서,상기 제1 발광 구조체, 상기 제2 발광 구조체, 및 상기 제3 발광 구조체를 덮도록 보호층을 형성하는 단계;상기 중간 도전 패드와 정렬되고 상기 보호층을 관통하는 콘택 패드를 형성하는 단계;상기 콘택 패드를 마주보도록 지지 기판을 부착하고 상기 성장 기판을 제거하는 단계; 및상기 성장 기판를 제거한 후 노출된 상기 제3 발광 구조체의 상기 GaN 버퍼층 상에 적색 형광층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
5 5
제4 항에 있어서,상기 제1 발광 구조체 및 상기 제2 발광 구조체의 일면 상에 각각 배치된 투명 절연층을 형성하는 단계; 및상기 투명 절연층들 사이 또는 상기 투명 절연층과 상기 적색 형광층 사이에 배치된 흑색 격벽을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR102097865 KR 대한민국 FAMILY

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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 고려대학교 집단연구지원(R＆D) 극대형화/고신뢰성의 신개념 마이크로/나노 픽셀 디스플레이 기술