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요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체 및 이의 제조 방법

기술번호 : KST2020003905
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 이러한 요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체를 제조하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체는, 제 1 산화물 반도체층(10); 및 제 1 산화물 반도체층 상에 배치된 제 2 산화물 반도체층(20)을 포함한다.
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01.01) H01L 29/43 (2006.01.01) H01L 29/66 (2006.01.01) H01L 21/311 (2006.01.01)
CPC	H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01) H01L 29/7869(2013.01)
출원번호/일자	1020180118047 (2018.10.04)
출원인	중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2020-0038616 (2020.04.14) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2018.10.04)
심사청구항수	13

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	중앙대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 동작구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박성규		경기도 안양시 동안구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	남건필	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
2	차상윤	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)
3	박종수	대한민국	서울특별시 영등포구 경인로 **, 동 ***호(엔씨 국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	중앙대학교 산학협력단		서울특별시 동작구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2018.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2018-0977512-37
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2019.02.18	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2019.04.12	수리 (Accepted)	9-1-2019-0018202-05
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.29	수리 (Accepted)	4-1-2019-5151122-15
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.01	수리 (Accepted)	4-1-2019-5153932-16
6	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2020.01.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0074786-44
7	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2020.03.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-0333594-92
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.03.31	수리 (Accepted)	1-1-2020-0333595-37
9	등록결정서 Decision to grant	2020.09.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0658565-03

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 산화물 반도체층; 및 상기 제 1 산화물 반도체층 상에 배치된 제 2 산화물 반도체층을 포함하고,상기 제 1 산화물 반도체층의 물질은 상기 제 2 산화물 반도체층의 물질보다 밴드 갭이 더 작은 것이 이용되며,상기 제 1 산화물 반도체층과 상기 제 2 산화물 반도체층의 경계면은 요철 구조로 이루어지며,용액 공정을 통해 상기 제 1 산화물 반도체층 및 상기 제 2 산화물 반도체층이 형성되고,높은 전자 이동도 및 낮은 누설 전류 특성을 나타내는,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체를 포함한 박막 트랜지스터
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 산화물 반도체층의 물질은 InZnO, InZrZnO, ZnO, InSnZnO 중 어느 하나인,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체를 포함한 박막 트랜지스터
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 2 산화물 반도체층의 물질은 AlZnO, GaZnO, InGaO, InGaZnO 중 어느 하나인,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체를 포함한 박막 트랜지스터
4	4 제 1 항에 있어서,상기 요철 구조는 상기 제 1 산화물 반도체층이 요철 형태로 배치되어 있으며, 서로 평행한 복수개의 막대 형상의 요철이 나란히 배열된 형태인,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체를 포함한 박막 트랜지스터
5	5 제 4 항에 있어서,상기 제 1 산화물 반도체층은 요철 구조에 따라 두께가 두꺼운 부분과 두께가 얇은 부분으로 이루어지며, 상기 요철 구조의 두께가 두꺼운 부분의 두께는 동일하고, 상기 요철 구조의 두께가 얇은 부분의 두께는 동일한,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체를 포함한 박막 트랜지스터
6	6 제 5 항에 있어서,요철 구조에서 상기 제 1 산화물 반도체층의 두께가 두꺼운 부분의 두께가 상기 제 1 산화물 반도체층의 두께가 얇은 부분의 두께의 1
7	7 제 1 항에 있어서,상기 요철 간의 간격은 일정한 것을 특징으로 하는,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체를 포함한 박막 트랜지스터
8	8 삭제
9	9 제 1 산화물 반도체층을 이루는 물질을 포함한 용액 및 제 2 산화물 반도체층을 이루는 물질을 포함한 용액을 각각 준비하는 단계;상기 제 1 산화물 반도체층을 이루는 물질을 포함한 용액을 이용해 제 1 산화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1 산화물 반도체층을 패턴화하여 식각하는 단계;상기 식각된 패턴화된 층 상에 제 1 산화물 반도체 물질층을 이루는 물질을 포함한 용액을 추가로 도포하여 제 1 산화물 반도체층을 성장시켜 패턴화된 제 1 산화물 반도체층을 얻는 단계; 및상기 패턴화된 제 1 산화물 반도체층 위에 제 2 산화물 반도체층을 이루는 물질을 포함한 용액을 도포하여 제 2 산화물 반도체층을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 제 1 산화물 반도체층의 물질은 상기 제 2 산화물 반도체층의 물질보다 밴드 갭이 더 작은 것이 이용되며,상기 제 1 산화물 반도체층과 상기 제 2 산화물 반도체층의 경계면은 요철 구조로 이루어지며,용액 공정을 통해 상기 제 1 산화물 반도체층 및 상기 제 2 산화물 반도체층이 형성되는,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체의 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 제 1 산화물 반도체층의 물질은 InZnO, InZrZnO, ZnO, InSnZnO 중 어느 하나인,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체의 제조 방법
11	11 제 9 항에 있어서,상기 제 2 산화물 반도체층의 물질은 AlZnO, GaZnO, InGaO, InGaZnO 중 어느 하나인,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체의 제조 방법
12	12 제 9 항에 있어서,상기 요철 구조는 상기 제 1 산화물 반도체층이 요철 형태로 배치되어 있으며, 서로 평행한 복수개의 막대 형상의 요철이 나란히 배열된 형태인,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체의 제조 방법
13	13 제 12 항에 있어서,상기 제 1 산화물 반도체층은 요철 구조에 따라 두께가 두꺼운 부분과 두께가 얇은 부분으로 이루어지며, 상기 요철 구조의 두께가 두꺼운 부분의 두께는 동일하고, 상기 요철 구조의 두께가 얇은 부분의 두께는 동일한,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체의 제조 방법
14	14 제 9 항에 있어서,상기 요철 간의 간격은 일정한 것을 특징으로 하는,요철 구조를 포함한 이종접합 산화물 반도체 구조체의 제조 방법

순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번	연구부처	주관기관	연구사업	연구과제
1	과학기술정보통신부	중앙대학교	개인기초연구(과기정통부)	상온 광활성 반응을 이용한 전 용액형 초유연전자소자 연구
2	산업통상자원부	주식회사연우	소재부품기술개발	80㎛ 이하 두께를 가지는 방수 및 내충격성이 우수한 모바일 기기용 배면 테이프 개발

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2018.10.04	수리 (Accepted)	1-1-2018-0977512-37
2	선행기술조사의뢰서	2019.02.18	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2019.04.12	수리 (Accepted)	9-1-2019-0018202-05
4	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.29	수리 (Accepted)	4-1-2019-5151122-15
5	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.01	수리 (Accepted)	4-1-2019-5153932-16
6	의견제출통지서	2020.01.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0074786-44
7	[명세서등 보정]보정서	2020.03.31	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2020-0333594-92
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견서·답변서·소명서	2020.03.31	수리 (Accepted)	1-1-2020-0333595-37
9	등록결정서	2020.09.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2020-0658565-03

중요키워드

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