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전기전도체 클러스터의 밀도가 상대적으로 높은 고밀도 영역 및 전기전도체 클러스트의 밀도가 낮은 저밀도 영역을 포함하는 전도성 고분자 복합체이며,상기 전도성 고분자 복합체는, 자가 치유능을 가지는 고분자 물질로 이루어진 매트릭스; 및상기 매트릭스 내에 분산 분포되는 복수의 전기전도체 클러스터를 포함하며, 상기 전기전도체 클러스터는, 상기 매트릭스 내에 분산 분포되는 복수 개의 제 1 전기전도체 입자; 및상기 제 1 전기전도체 입자 사이의 매트릭스에 배치되며, 상기 제 1 전기전도체 입자와 동일한 물질이며, 상기 제 1 전기전도체 입자에 비해 더 작은 크기를 가지는 복수의 제 2 전기전도체 입자를 포함하고,상기 전도성 고분자 복합체는,외력에 의해 변형 된 상태에서 소정 시간 유지할 경우 전기전도도가 증가하고, 외력에 의해 변형됨에 따라 이격되었던 전기전도체 클러스터가 서로 연결되는 재배열 단계가 진행되는,고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서, 상기 고밀도 영역에서부터 상기 저밀도 영역으로 상기 전기전도체 클러스터의 밀도가 연속적으로 감소되는 형태를 가지는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 고밀도 영역에서부터 상기 저밀도 영역으로 상기 전기전도체 클러스터의 밀도가 단속적으로 감소하는 형태를 가지는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 고밀도 영역은 상기 전도성 고분자 복합체의 중심부에 배치되고, 상기 고밀도 영역을 상기 저밀도 영역이 감싸는 형태를 가지는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서, 상기 고밀도 영역의 중심을 지나는 중심축을 기준으로 상기 저밀도 영역이 서로 대칭을 이루는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 고밀도 영역은 상기 전도성 고분자 복합체의 기계적 중립면에 위치하는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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7
제 1 항에 있어서, 전기전도체 입자를 포함하지 않는 캐핑 영역을 더 포함하는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 7 항에 있어서, 상기 캐핑 영역은 자가 치유능을 가지는 고분자를 포함하는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 8 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 복합체 및 상기 캐핑 영역은 자가 접합에 의해 접합된 것인, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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10
제 7 항에 있어서, 상기 캐핑 영역은 상기 저밀도 영역과 인접하는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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삭제
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 복합체는,외력에 의해 변형 된 상태에서 소정 시간 유지될 경우 이격되었던 전기전도체 클러스터가 서로 연결되어 재배열되는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 복합체는,외력에 의해 변형 된 상태에서 소정 시간 유지됨에 따라 응력의 이완이 일어나는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전기전도체 생성의 공급원은 상기 제 1 전기전도체인,고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서,자가 치유능을 가지는 고분자 물질은,polydimethylsiloxane (PDMS), polyethyleneoxide (PEO), Perfluoropolyether (PFPE), polybutylene (PB), poly(ethylene-co-1-butylene), poly(butadiene), hydrogenated poly(butadiene), poly(ethylene oxide)-poly(propylene oxide) block copolymer 혹은 random copolymer, 및 poly(hydroxyalkanoate) 중 어느 하나를 주쇄(backbome)로 하는 탄성중합체(elastomer material)를 포함하는,고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 16 항에 있어서,자가 치유능을 가지는 고분자 물질은
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제 1 항에 있어서,제 1 전기전도체는 금속물질인, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 18 항에 있어서,상기 금속물질은 Ag, Au, Cu, Al,W, Mo, Ti, Cr, Ni 및 Pt 중 어느 하나 이상을 포함하는,고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서, 상기 전도성 고분자 복합체는,변형율이 1700% 이하인, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전기전도체는 판상형, 구형, 다각각형, 섬유형 및 부정형 중 어느 하나 이상의 형상을 가지는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전기전도체는 500nm 내지 2㎛범위의 크기를 가지는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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23
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 전기전도체는 50nm 이하의 크기를 가지는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체
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(a) 일측부이 전기전도체 클러스터의 밀도가 타측부 보다 높은 부분 전도성 고분자 복합체를 복수 개로 준비하는 단계; 및(b) 상기 준비된 부분 전도성 고분자 복합체를 서로 접하도록 배치시키되, 전기전도체 클러스터의 밀도가 높은 일측부끼리 접하도록 배치시킨 후 자가 접합을 수행하는 단계를 포함하며, 상기 전기전도체 클러스터는, 자가 치유능을 가지는 고분자 물질로 이루어진 매트릭스;상기 매트릭스 내에 분산 분포되는 복수 개의 제 1 전기전도체 입자; 및상기 제 1 전기전도체 입자 사이의 매트릭스에 배치되며, 상기 제 1 전기전도체 입자와 동일한 물질이며, 상기 제 1 전기전도체 입자에 비해 더 작은 크기를 가지는 복수의 제 2 전기전도체 입자를 포함하고,상기 전도성 고분자 복합체는,외력에 의해 변형된 상태에서 소정 시간 유지할 경우 전기전도도가 증가하고, 외력에 의해 변형됨에 따라 이격되었던 전기전도체 클러스터가 서로 연결되는 재배열 단계가 진행되는,고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체의 제조방법
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제 24 항에 있어서,상기 부분 전기전도성 접합체가 서로 접하는 면을 기준으로 하여 상기 대향되는 부분이 서로 대칭을 이루는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체의 제조방법
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제 24 항에 있어서, 상기 자가 접합을 수행하는 단계는, 가열하는 단계를 더 포함하는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체의 제조방법
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제 24 항에 있어서, 상기 (b)의 결과물로 제조된 전도성 고분자 복합체의 적어도 일부 영역에 상기 전기전도체 클러스터를 포함하지 않는 캐핑 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체의 제조방법
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제 27 항에 있어서, 상기 캐핑 영역은 자가 치유능을 가지는 고분자 물질을 포함하는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체의 제조방법
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제 24 항에 있어서,상기 부분 전기전도체 복합체의 제조방법은,자기 치유능을 가지는 고분자가 용해된 용액 내에 전기전도체 입자를 투입하여 제조한 혼합용액을 기판 상에 붓는 단계; 및상기 기판 상에서 상기 혼합용액을 건조시키면서 비중 차에 의해 상기 혼합용액 내에서 전기전도체 입자가 하강시키는 단계를 포함하는, 고 신축성을 가진 전도성 고분자 복합체의 제조방법
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