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단결정 h-BN 템플릿 형성단계;상기 h-BN 템플릿 상에 이종(hetero) 전구체를 증착시켜 복수의 핵(nuclei)를 형성하는 단계; 및증착된 복수의 핵을 반 데르 발스 애피택셜 성장시켜 이종구조(Heterostructure) 층을 형성하는 단계;를 포함하며,상기 이종구조 층은 단결정인, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 증착된 복수의 핵은 일 방향으로 배향되는, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 이종 전구체는 메탄(CH4), 에탄(C2H6), 에틴(C2H2) 중 어느 하나 이상, 금속산화물(MO3) 및 칼코젠(X), 또는 보라진(H3B3N3H3)을 포함하고,상기 M은 Mo, 또는 W이고, 상기 X는 S, Se 또는 Te인, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 증착은 유기금속 화학 기상 증착(MOCVD), 플라즈마 화학 기상 증착(PECVD), 및 원자층 증착(ALD)으로 구성되는 군에서 선택되는 어느 하나의 증착법에 의한 것인, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 성장 방법은 단결정 h-BN 템플릿 형성 직후, 연속적으로 상기 h-BN 템플릿 상에 이종구조 층을 직성장시키는, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 이종구조 층을 형성하는 단계는 600 ℃ 내지 1200 ℃의 온도에서 열처리하는 것을 포함하는, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 h-BN 템플릿 형성단계는,제1기재 상에 제2기재를 적층시키는 단계;적층된 기재를 제2기재의 용융온도 이상으로 가열하는 단계; 및제2기재 상에 단결정 h-BN 템플릿을 형성하는 단계;를 포함하는, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제2항에 있어서,상기 제1기재의 용융온도는 제2기재의 용융온도보다 높은, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제7항에 있어서,상기 제2기재 상에 h-BN 템플릿을 형성하는 단계는,질소 공급원 및 붕소 공급원은 일정한 유량으로 공급하여, 제2기재 상에 h-BN 핵을 형성하고 h-BN 결정립으로 성장시키는 단계; h-BN 결정립이 자기 정렬하는 단계; 및 인접한 h-BN 결정립을 병합하여 h-BN 템플릿을 형성하는 단계;를 포함하는, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제9항에 있어서,상기 단결정 h-BN 템플릿 형성단계는 불활성 기체 및 수소 분위기에서 수행되며, 상기 질소 공급원 및 붕소 공급원은 불활성 기체 및 수소 기체의 전체 부피에 대하여 0
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제9항에 있어서,상기 단결정 h-BN 템플릿 형성단계는 불활성 기체 및 수소 분위기에서 수행되며, 수소 분위기는 불활성기체 및 수소기체의 전체 부피에 대하여 5-30 부피% 범위로 공급되는, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제1항에 있어서,상기 단결정 h-BN 템플릿 형성단계는 불활성 기체 및 수소 분위기에서 수행되며, 상기 불활성 기체와 수소는 500:1-200 부피 비율인, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제9항에 있어서,상기 제2기재 상에 형성된 h-BN 핵은 10-90분 간 h-BN 결정립으로 성장되는, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제9항에 있어서,상기 h-BN 템플릿을 형성하는 단계는 h-BN 결정립을 인접한 결정립과 병합하기 위하여 10-60분 간 더 성장시키는, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제7항에 있어서,상기 제1기재는 지르코늄(Zr), 크롬(Cr), 바나듐(V), 로듐(Rh), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 및 텅스텐(W)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 금속 또는 이들의 합금이고,상기 제2기재는 금(Au), 구리(Cu), 철(Fe), 망간(Mn), 니켈(Ni), 코발트(Co), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 및 백금(Pt)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 어느 하나 이상의 금속 또는 이들의 합금인, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제9항에 있어서,상기 h-BN 템플릿 형성단계는 -100
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제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 따른 2차원 애피택셜 성장 방법에 따라 형성된 이종구조 층을 포함하는 적층 구조체로서,상기 적층 구조체는 단결정 h-BN 템플릿 및 이종구조 층을 포함하고, 상기 단결정 h-BN 템플릿 및 이종구조 층은 반 데르 발스 힘(Van der Waals force)으로 스태킹(Stacking)된 것이고,상기 이종구조 층은 단결정인, 적층 구조체
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제17항에 있어서,상기 스태킹은 AA'-스태킹인, 적층 구조체
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제17항에 있어서,상기 이종구조 층은 이종 단결정 2차원 물질을 포함하는, 2차원 애피택셜 성장 방법
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제17항에 있어서,상기 이종구조 층은 그래핀, 전이금속 칼코젠화합물(MX2) 중 어느 하나를 포함하며,상기 M은 티타늄(Ti), 바나듐(V), 지르코늄(Zr), 니오븀(Nb), 몰리브덴(Mo), 테크네튬(Tc), 팔라듐(Pd), 하프늄(Hf), 탄탈룸(Ta), 텅스텐(W), 레늄(Re), 또는 백금(Pt)을 포함하고, 상기 X는 황(S), 셀레늄(Se) 또는 텔레늄(Te)를 포함하는, 적층 구조체
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제17항에 있어서,상기 적층 구조체는 트랜지스터, 가스/수분 차단막, 산화방지막 또는 반도체 소자에 적용되는, 적층 구조체
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제17항에 따른 적층 구조체를 포함하는, 가스/수분 차단막
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단결정 h-BN 템플릿; 및 제4기재;를 포함하는, 가스/수분 차단막
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제23항에 있어서,상기 제 4 기재는 카본 그리드, 유연기판, 전도체, 유전체 또는 반도체성 소재 중 어느 하나인, 가스/수분 차단막
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제22항 또는 제23항에 있어서,상기 가스/수분 차단막은 0
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