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캡핑층을 구비한 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2020004008
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 캡핑층을 구비한 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 패시베이션층으로 수화된 비정질 실리콘 박막이 공기 중에 노출시 열화 및 분해되어 패시베이션 특성이 감소되는 문제를 해결하기 위해 수화된 비정질 실리콘 박막 위에 캡핑층으로 아이오딘 박막을 형성하여 패시베이션 효과를 향상시킴으로써 도전형 실리콘 기판의 캐리어 수명 저하를 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 31/032 (2006.01.01) H01L 31/0392 (2006.01.01) H01L 31/0376 (2006.01.01) H01L 31/18 (2006.01.01) H01L 31/0224 (2006.01.01)
CPC H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01) H01L 31/032(2013.01)
출원번호/일자 1020180131654 (2018.10.31)
출원인 한국생산기술연구원
등록번호/일자 10-2101504-0000 (2020.04.09)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20200416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.10.31)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 대한민국 충청남도 천안시 서북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정채환 광주광역시 광산구
2 전기석 광주광역시 북구
3 김기림 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인명 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**, ***호, ***호(문정동,문정법조프라자)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국생산기술연구원 충청남도 천안시 서북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2018-1077084-55
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2018-1202609-25
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.04.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0112960-28
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0741108-63
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2019-1229250-49
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1229251-95
8 등록결정서
Decision to grant		 2020.04.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0245779-91
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
도전형 실리콘 기판;상기 도전형 실리콘 기판의 상면과 하면에 각각 위치하는 제1 및 제2 패시베이션층;상기 제1 패시베이션층 상면에 형성되는 제1 캡핑층;상기 제1 캡핑층 상면에 형성되는 정공 선택 접촉층;상기 정공 선택 접촉층 상면에 형성되는 상부 투명 전극;상기 상부 투명 전극 상부에 형성되는 상부 금속 전극;상기 제2 패시베이션층 하면에 형성되는 제2 캡핑층;상기 제2 캡핑층 하면에 형성되는 전자 선택 접촉층;상기 전자 선택 접촉층 하면에 형성되는 하부 금속 전극;을 포함하되, 상기 제1 및 제2 캡핑층은 상기 제1 및 제2 패시베이션층의 소재로 수화된 진성 비정질 실리콘 박막의 특성 열화를 방지하기 위한 아이오딘 박막이고,상기 제1 캡핑층의 아이오딘 박막은 상기 정공 선택 접촉층의 소재로 아이오딘 구리 박막을 형성하는 경우 상기 아이오딘 구리 박막에 주입될 수 있는 아이오딘 소스로 작용하는 것을 특징으로 하는 캡핑층을 구비한 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 아이오딘 박막은 1~2nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 캡핑층을 구비한 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 정공 선택 접촉층은 높은 일 함수(Φ 003e# 5
5 5
도전형 불순물을 포함하는 도전형 실리콘 기판을 준비하는 도전형 실리콘 기판 준비 단계;상기 도전형 실리콘 기판의 상면과 하면에 각각 제1 및 제2 패시베이션층을 형성하는 패시베이션층 형성 단계;상기 제1 패시베이션층의 상면에 제1 캡핑층을 형성하고 상기 제2 패시베이션층의 하면에 제2 캡핑층을 형성하는 캡핑층 형성 단계;상기 제2 캡핑층 하면에 전자 선택 접촉층을 형성하는 전자 선택 접촉층 형성 단계;상기 제1 캡핑층 상면에 정공 선택 접촉층을 형성하는 정공 선택 접촉층 형성 단계;상기 정공 선택 접촉층 상면에 상부 투명 전극을 형성하는 상부 투명 전극 형성 단계;상기 상부 투명 전극 상부에 상부 금속 전극을 형성하는 상부 금속 전극 형성 단계;상기 전자 선택 접촉층 하면에 하부 금속 전극을 형성하는 하부 금속 전극 형성 단계;를 포함하되,상기 캡핑층 형성 단계는, 상기 패시베이션층의 소재로 수화된 진성 비정질 실리콘 박막의 특성 열화를 방지하기 위하여 아이오딘 박막을 형성하고, 상기 정공 선택 접촉층 형성 단계에서 정공 선택 접촉층의 소재로 아이오딘 구리 박막을 형성하는 경우 상기 캡핑층 형성 단계에서 형성된 아이오딘 박막이 아이오딘 소스로 작용하여 정공의 선택적 이동을 위한 상기 아이오딘 구리 박막에 아이오딘 소스가 주입되는 것을 특징으로 하는 캡핑층을 구비한 전하선택접촉접합 실리콘 태양전지의 제조 방법
6 6
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패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국생산기술연구원 에너지기술개발사업 [RCMS]고효율 결정질 실리콘 태양전지용 전하선택접촉 기술 개발(2/4)