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리튬 이온 이차 전지용 음극재로서, 하기 화학식 1로 표현되는 서로 다른 2종의 금속원소 A 및 B을 포함하는 인화물(phosphide)이며,상기 A는 음극반응이 삽입반응, 합금반응 및 전환반응 중 어느 하나인 금속 인화물을 구성하는 금속원소를 포함하고,상기 B는 상기 A와 다른 음극반응이 일어나는 금속 인화물을 구성하는 금속원소를 포함하고, 상기 금속원소 A 및 B를 포함하는 인화물(phosphide)은,상기 금속원소 A의 인화물 및 상기 금속원소 B의 인화물이 서로 고용된 고용체인,이차전지용 금속 인화물 음극재
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리튬 이온 이차 전지용 음극재로서, 금속원소 A의 인화물 및 상기 A와 다른 금속원소 B의 인화물이 서로 혼합된 혼합물이며, 상기 A는 음극반응이 삽입반응, 합금반응 및 전환반응 중 어느 하나인 금속 인화물을 구성하는 금속원소를 포함하고,상기 B는 상기 A와 다른 음극반응이 일어나는 금속 인화물을 구성하는 금속원소를 포함하는, 이차전지용 금속 인화물 음극재
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제 1 항에 있어서, 상기 음극반응이 삽입반응인 금속 인화물은 티타늄 인화물(Titanium phosphide) 및 바나듐 인화물(Vanadium phosphide) 중 어느 하나를 포함하고, 상기 음극반응이 합금반응인 금속 인화물은 망간 인화물(Manganese phosphide)을 포함하고, 상기 음극반응이 전환반응인 금속 인화물은 철 인화물(Iron phosphide), 코발트 인화물(Cobalt phosphide), 니켈 인화물(Nickel phosphide), 구리 인화물(Copper phosphide) 및 아연 인화물(Zinc phosphide) 중 선택되는 어느 하나를 포함하는, 이차전지용 금속 인화물 음극재
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제 2 항에 있어서, 상기 음극반응이 삽입반응인 금속 인화물은 티타늄 인화물(Titanium phosphide) 및 바나듐 인화물(Vanadium phosphide) 중 어느 하나를 포함하고, 상기 음극반응이 합금반응인 금속 인화물은 망간 인화물(Manganese phosphide)을 포함하고, 상기 음극반응이 전환반응인 금속 인화물은 철 인화물(Iron phosphide), 코발트 인화물(Cobalt phosphide), 니켈 인화물(Nickel phosphide), 구리 인화물(Copper phosphide) 및 아연 인화물(Zinc phosphide) 중 선택되는 어느 하나를 포함하는, 이차전지용 금속 인화물 음극재
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제 1 항에 있어서, 상기 금속원소 A는 Mn이며, 상기 금속원소 B는 Fe 또는 V인,이차전지용 금속 인화물 음극재
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제 5 항에 있어서, 상기 화학식 1의 x는 0
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제 2 항에 있어서,상기 금속원소 A의 인화물에 대한 상기 금속원소 B의 인화물의 혼합비는 몰비로 0
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기판; 및 상기 기판의 적어도 일면에 형성되는 음극층을 포함하고, 상기 음극층은, 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 항에 해당되는 이차전지용 금속 인화물 음극재 및 바인더를 포함하는,이차전지용 전극
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제 8 항에 있어서, 상기 음극층은 탄소계 물질을 더 포함하는, 이차전지용 전극
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제 9 항에 있어서, 상기 탄소계 물질은, 흑연(graphite), 그래핀(graphene) 및 탄소나노튜브(carbon nano tube) 중 어느 하나를 포함하는, 이차전지용 전극
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금속원소 A의 분말, 상기 A와 다른 금속원소 B의 분말 및 인 전구체 분말을 준비하는 단계; 및상기 금속원소 A의 분말, 상기 금속원소 B의 분말 및 상기 인 전구체 분말을 기계화학적 합성법으로 합성하여, 하기 화학식 1로 표현되는 서로 다른 2종의 금속원소 A 및 B을 포함하는 인화물(phosphide)를 제조하는 단계;를 포함하고, 상기 A는 음극반응이 삽입반응, 합금반응 및 전환반응 중 어느 하나인 금속 인화물을 구성하는 금속원소를 포함하고,상기 B는 상기 A와 다른 음극반응이 일어나는 금속 인화물을 구성하는 금속원소를 포함하고,상기 금속원소 A 및 B을 포함하는 인화물(phosphide)은, 상기 금속원소 A의 인화물 및 상기 금속원소 B의 인화물이 서로 고용된 고용체인, 이차전지용 금속 인화물 음극재의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 음극반응이 삽입반응인 금속 인화물은 티타늄 인화물(Titanium phosphide) 및 바나듐 인화물(Vanadium phosphide) 중 어느 하나를 포함하고, 상기 음극반응이 합금반응인 금속 인화물은 망간 인화물(Manganese phosphide)을 포함하고, 상기 음극반응이 전환반응인 금속 인화물은 철 인화물(Iron phosphide), 코발트 인화물(Cobalt phosphide), 니켈 인화물(Nickel phosphide), 구리 인화물(Copper phosphide) 및 아연 인화물(Zinc phosphide) 중 선택되는 어느 하나를 포함하는, 이차전지용 금속 인화물 음극재의 제조방법
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제 11 항에 있어서, 상기 인 전구체는 적린을 포함하는, 이차전지용 금속 인화물 음극재의 제조방법
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제 11항에 있어서, 상기 금속원소 A는 Mn이며, 상기 금속원소 B는 Fe 또는 V인,이차전지용 금속 인화물 음극재의 제조방법
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제 14 항에 있어서, 상기 화학식 1의 x는 0
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