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양자점 전구체 화합물 및 계면활성제를 용매에 녹여 제 1양자점 씨드를 생성하는 단계;상기 제 1양자점 씨드에 상기 계면활성제를 추가로 첨가하여 양자점 결정핵을 생성하는 단계; 및상기 양자점 결정핵에 상기 제 1양자점 씨드와 동일한 제 2양자점 씨드를 반응시켜 상기 양자점 결정핵을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 양자점 전구체 화합물은 11족, 12족, 13족 또는 14족 원소를 포함하는 적어도 하나의 제1전구체; 및 15족 또는 16족 원소를 포함하는 적어도 하나의 제2전구체를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제1전구체는 Pb, Cd, Ag, Zn, In 또는 Sn을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제2항에 있어서,상기 제2전구체는 P, As, O, S, Se 또는 Te를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1양자점 씨드를 생성하는 단계는,상기 제1양자점 씨드를 생성하도록 상기 양자점 전구체 화합물 및 상기 계면활성제의 함량비율이 조절된 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제5항에 있어서,상기 양자점 전구체 화합물과 상기 계면활성제의 함량비율은, 상기 양자점 전구체 화합물 1몰에 대하여 상기 계면활성제 3 내지 10 몰인 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1양자점 씨드의 크기는 1 nm 내지 2 nm 인 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 계면활성제는 스테아르산(stearic acid), 올레인 산 (oleic acid), 미리스트 산(Myristic acid), 팔미트산(palmitic acid), 헥실 포스포늄산 (hexyl phosphonicacid), n-옥틸 포스포늄산(n-octyl phosphonicacid), 테트라데실 포스포늄산(tetradecyl phosphonicacid), 옥타데실포스포늄산(octadecyl phosphonic acid), n-옥틸 아민(n-octyl amine), 도데실 아민(dodecy amine), 옥타데실 아민(octadecyl amine), 헥사데실아민(hexadecyl amine), 트리옥틸아민(Trioctyl amine), 트리 n-옥틸 포스핀(Trin-octyl phosphine), 트리 n-부틸 포스핀(Tri n-butyl phosphine) 및 트리-n-옥틸포스핀 옥사이드(tri-n-octylphosphine oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 계면활성제인 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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제1항에 있어서,상기 양자점 결정핵을 생성하는 단계는,100 내지 250 °C의 온도 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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10
제1항에 있어서,상기 양자점 결정핵을 생성하는 단계는,상기 제1양자점 씨드 및 상기 계면활성제의 몰비가, 상기 제 1양자점 씨드 1몰에 대해 상기 계면활성제 3 내지 8 몰인 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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11
제1항에 있어서,상기 양자점 결정핵을 성장시키는 단계는,상기 양자점 결정핵에 상기 제 2양자점 씨드를 연속적으로 제공하는 방법 또는 일정량의 상기 제 2양자점 씨드를 반복적으로 첨가하는 방법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 양자점 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 11 중에서 선택되는 어느 한 항의 제조방법에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 양자점
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