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상부 전극, 상기 상부 전극에 대향되는 하부 전극 및 상기 상부 전극과 하부 전극에 접하고 열전 측정 대상 물질을 포함하는 접합부를 포함하고,상기 상부 전극은 액체 금속 전극인 것을 특징으로 하고,상기 접합부에 포함되는 열전 측정 대상 물질은 열전 소재로서, 무기 반도체, 유기 단분자 화합물, 전도성 고분자, 전도성 고분자와 나노탄소의 복합체 및 전도성 고분자와 무기 반도체의 하이브리드 복합체 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 열전 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 액체 금속은 공융 갈륨인듐 (Eutectic Gallium-Indium, EGaIn) 합금인 것을 특징으로 하는 열전 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 상부 전극은 원뿔형 팁 (conical tip) 형태이고, 전도성 산화갈륨 (Ga2O3) 층이 표면에 자기보호 (self-passivating) 반응으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 열전 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 상부 전극 및 하부 전극 중 어느 하나는 제백 효과 (seeback effect)를 이용하여 온도변화를 측정하는 열전대 (thermocouple)가 구비된 것을 특징으로 하는 열전 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 열전 측정 시스템은 접합부에서의 열전기 전압 (ΔV)을 측정하는 나노 전압계 (nanovoltmeter)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 열전 측정 시스템은 하부 전극의 온도를 제어하고 접합부에서 온도차 (ΔT)를 생성하는 핫 척 (hot chuck)을 더 포함한 것을 특징으로 하는 열전 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 열전 측정 시스템은 접지 전극을 더 포함하고, 상기 접지 전극은 텅스텐 (W) 팁으로 형성된 것을 특징으로 하는 열전 측정 시스템
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제1항에 있어서,상기 열전 측정 대상 물질은 하부 전극 표면에 결합되어 형성되는 자기조립 분자층인 것을 특징으로 하는 열전 측정 시스템
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상부 전극, 상기 상부 전극에 대향하는 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 형성되는 분자층을 포함하고,상기 분자층은 S(Ph)n (Ph는 페닐기이고, n은 1 내지 10의 정수임) 표시되는 올리고페닐렌티올이 자기조립되어 형성된 것이며,상기 상부 전극은 액체 금속 공융 갈륨인듐 (Eutectic Gallium-Indium, EGaIn) 합금 기반의 전극인 것을 특징으로 하는 열전 소자
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제10항에 있어서,상기 열전 소자는 n이 증가할수록 열전 성능 (Seebeck 계수)이 증대되는 것을 특징으로 하는 열전 소자
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