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원형 관통홀에 의한 메시 게이트를 이용한 전계방출 장치

  • 기술번호 : KST2020004211
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 메시 게이트를 이용한 전계방출 장치에 관한 것으로서, 본 발명의 전계방출 장치는 반도체 공정에 의해 MEMS(Micro Electro Mechanical System) 가공으로 제작이 용이하고, 발생전류를 높이고 전자의 투과율을 향상시켜 대용량 전계방출이 용이하고 전계방출 효율을 제고할 수 있는, 삼극관 구조의 전계방출 장치에 적용을 위한 게이트 전극에 메시를 도입한 전계방출 장치를 제공한다.
Int. CL H01J 1/304 (2006.01.01) H01J 9/02 (2006.01.01)
CPC H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01) H01J 1/304(2013.01)
출원번호/일자 1020180119083 (2018.10.05)
출원인 한국전기연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2020-0039329 (2020.04.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전기연구원 대한민국 경상남도 창원시 성산구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최재구 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2018.10.05 수리 (Accepted) 1-1-2018-0984979-09
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번호 청구항
1 1
벌크 게이트 및 메시 게이트를 포함하는 게이트; 및상기 게이트로부터 소정의 거리 이격되어 설치된 캐소드를 포함하고,상기 메시 게이트는 금속 기판의 복수의 관통홀에 의해 형성된 하나 이상의 격벽을 포함하고, 상기 격벽은 상기 벌크 게이트와 전기적으로 연결되어 상기 벌크 게이트와 함께 전계를 형성하며,상기 게이트와 상기 캐소드와의 사이에 형성된 전계에 의해, 상기 게이트를 사이에 두고 상기 캐소드의 반대편에 대향하여 설치된 아노드로 향하는, 상기 캐소드 표면으로부터의 전자 방출이 상기 복수의 관통홀을 통과하도록 하기 위한 것을 특징으로 하는 전계방출 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 게이트는, 실리콘 기판 상부에 금속을 증착한 후 상기 메시 게이트의 패턴을 형성한 후 상기 실리콘 기판의 하부의 실리콘을 제거하는 공정을 포함하는 MEMS 가공 공정에 의해, 상기 벌크 게이트 및 상기 메시 게이트가 일체형으로 제작된 것을 특징으로 하는 전계방출 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 메시 게이트의 상기 복수의 관통홀은 한점을 중심으로 좌우 대칭적으로 형성된 것을 포함하는 전계방출 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 메시 게이트의 상기 복수의 관통홀에 의한 복수의 격벽들이 한점을 중심으로 좌우 대칭적으로 형성된 것을 포함하는 전계방출 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 메시 게이트의 상기 복수의 관통홀 또는 상기 복수의 관통홀에 의한 복수의 격벽의 중심들은, 한점을 중심으로 좌우로 같은 거리에 형성된 하나 이상의 쌍을 포함하는 전계방출 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 메시 게이트의 상기 복수의 관통홀 또는 상기 복수의 관통홀에 의한 복수의 격벽의 중심들은, 한점을 중심으로 좌우에 대칭적으로 인접 이격 거리가 동일한 2이상의 부분을 포함하는 전계방출 장치
7 7
제1항에 있어서,상기 메시 게이트의 상기 복수의 관통홀 또는 상기 복수의 관통홀에 의한 복수의 격벽의 중심들은, 한점을 중심으로 좌우에 대칭적으로 인접 이격 거리가 서로 다른 2이상의 부분을 포함하는 전계방출 장치
8 8
제1항에 있어서,상기 메시 게이트의 상기 복수의 관통홀 또는 상기 복수의 관통홀에 의한 복수의 격벽들은, 1차원 또는 2차원 배열로 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출 장치
9 9
MEMS 가공 공정을 기초로 전계방출 장치의 제작 방법에 있어서,실리콘 기판 상부에 금속을 증착한 후 상기 메시 게이트의 패턴을 형성하는 단계; 및상기 메시 게이트의 패턴 및 그 주위로 벌크 게이트를 포함하는 금속 부분이 남아있도록 상기 실리콘 기판의 하부의 실리콘을 제거하는 단계를 포함하고,상기 메시 게이트는 금속 기판의 복수의 관통홀에 의해 형성된 하나 이상의 격벽을 포함하고, 상기 격벽은 상기 벌크 게이트와 전기적으로 연결되어 상기 벌크 게이트와 함께 전계를 형성하며,상기 벌크 게이트 및 상기 메시 게이트를 포함하는 게이트로부터 소정의 거리 이격되어 설치된 캐소드와의 사이에 형성된 전계에 의해, 상기 게이트를 사이에 두고 상기 캐소드의 반대편에 대향하여 설치된 아노드로 향하는, 상기 캐소드 표면으로부터의 전자 방출이 상기 복수의 관통홀을 통과하도록 하기 위한 것을 특징으로 하는 전계방출 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부 한국전기연구원 원천기술 개발연구 및 성장동력 기획 사업 삼중점 지원형 전계방출 분석 연구