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열전재료; 모서리 부분만 선택적으로 산화된 그래핀 산화물(edge-oxidized graphene oxide); 및 바인더를 포함하고,상기 열전재료는 Bi-Te계, Sb-Te계, Bi-Sb-Te계, Co-Sb계, Pb-Te계, Ge-Tb계, Si-Ge계 및 Sm-Co계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고,열전재료 내에 상기 모서리 부분만 선택적으로 산화된 그래핀 산화물이 분산된 열전 후막 형성용 조성물
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제1항에 있어서,상기 모서리 부분만 선택적으로 산화된 그래핀 산화물은 그래핀의 모서리 부분이 5% 내지 50% 산화된 것을 특징으로 하는 열전 후막 형성용 조성물
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제1항에 있어서,상기 열전 후막 형성용 조성물에서 상기 모서리 부분만 선택적으로 산화된 그래핀 산화물의 함량은 전체 조성물 100 중량부에 대하여 0
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열전재료; 및 모서리 부분만 선택적으로 산화된 그래핀 산화물(edge-oxidized graphene oxide);을 포함하고,상기 열전재료는 Bi-Te계, Sb-Te계, Bi-Sb-Te계, Co-Sb계, Pb-Te계, Ge-Tb계, Si-Ge계 및 Sm-Co계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상이고,열전재료 내에 상기 모서리 부분만 선택적으로 산화된 그래핀 산화물이 분산된 열전 후막
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제6항에 있어서,상기 열전 후막의 두께는 100 ㎛ 내지 500 ㎛인 것을 특징으로 하는 열전 후막
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제6항에 있어서,상기 모서리 부분만 선택적으로 산화된 그래핀 산화물은 그래핀의 모서리 부분이 5% 내지 50% 산화된 것을 특징으로 하는 열전 후막
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제6항에 있어서,상기 열전 후막에서 상기 모서리 부분만 선택적으로 산화된 그래핀 산화물의 함량은 전체 100 중량부에 대하여 0
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Bi-Te계, Sb-Te계, Bi-Sb-Te계, Co-Sb계, Pb-Te계, Ge-Tb계, Si-Ge계 및 Sm-Co계 화합물로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상인 열전재료; 모서리 부분만 선택적으로 산화된 그래핀 산화물(edge-oxidized graphene oxide); 및 바인더를 포함하고, 열전재료 내에 상기 모서리 부분만 선택적으로 산화된 그래핀 산화물이 분산된 열전 후막 형성용 조성물을 제조하는 단계; 및상기 열전 후막 형성용 조성물을 도포하여 열전 후막을 제조하는 단계;를 포함하는 열전 후막의 제조방법
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