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드레인(130)과 소스(140)가 소정 영역에 각각 형성된 실리콘 기판(100) 및 상기 드레인(130) 영역과 상기 소스(140) 영역 사이에서 상기 실리콘 기판(100) 내에 매립된 게이트(110)를 포함하는 매립형 채널 어레이 트랜지스터에 관한 것으로서, 상기 게이트(110)의 상면은 상기 실리콘 기판(100)의 상면보다 아래에 위치하도록 매립되되, 상기 드레인(130) 영역 또는 상기 소스 영역(140)에는 절연체(150)가 매립되며,상기 실리콘 기판(100)의 상면으로부터 상기 실리콘 기판(100) 내에 매립된 상기 절연체(150)의 상면까지의 거리(x)를, 상기 실리콘 기판(100)의 상면으로부터 상기 실리콘 기판(100) 내에 매립된 상기 게이트(110)의 상면까지의 거리(y)로 나눈 무차원 변수 α 값(x/y)은 0
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삭제
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청구항 1에 있어서, α 값(x/y)은 0
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 절연체(150)는 유전체인 것을 특징으로 하는, 누설전류 특성이 개선된 매립형 채널 어레이 트랜지스터
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청구항 4에 있어서, 상기 유전체는 SiO2, Si3N4, 및 HfO2, ZrO2중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는, 누설전류 특성이 개선된 매립형 채널 어레이 트랜지스터
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 게이트(110)와 상기 실리콘 기판(100)의 사이에는 게이트 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는, 누설전류 특성이 개선된 매립형 채널 어레이 트랜지스터
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서, 상기 상기 게이트(110)의 상면에는 ZrO2, TaO2, TiO2, 및 SiO2 중에서 선택된 적어도 하나의 물질로 이루어진 보호막(120)이 형성되는 것을 특징으로 하는, 누설전류 특성이 개선된 매립형 채널 어레이 트랜지스터
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