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기판을 준비하는 단계;상기 기판에서 전극이 형성될 영역에 요철을 형성하는 단계;상기 요철이 형성된 기판 상에 이차원 소재의 전구체 막을 형성하는 단계;상기 형성된 전구체 막에 대하여 칼코겐화 공정을 수행하여 금속 칼코겐 막을 형성하는 단계 및상기 형성된 금속 칼코겐 막 위에 전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판에는 전극이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판에서 전극이 형성될 영역에 요철을 형성하는 단계는,유전체 막 표면의 일정 영역에 요철을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 요철이 형성된 기판 상에 이차원 소재를 형성하는 단계는,상기 이차원 소재의 전구체인 금속 극초박막 또는 일부 산화된 금속의 극초박막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 요철이 형성된 기판 상에 이차원 소재를 형성하는 단계는,하나 이상의 컨택트 영역 및 채널 영역을 포함하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 컨택트 영역은 한 종류 이상의 이차원 소재가 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 컨택트 영역은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WSe2, WS2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, ZrTe2, HfSe2, HfS2, HfTe2, SnS2, SnSe2, SnTe2, InSe2, InS2, InTe2, TiS2, TiSe2, TiTe2, NbS2, NbSe2, NbTe2, TaS2, TaSe2, TaTe2, ReS2, ReSe2, ReTe2, VS2, VSe2 및 VTe2 중 한 종류 이상의 이차원 소재를 포함하고, 상기 채널 영역은 MoS2, MoSe2, MoTe2, WSe2, WS2, WTe2, ZrS2, ZrSe2, ZrTe2, HfSe2, HfS2, HfTe2, SnS2, SnSe2, SnTe2, InSe2, InS2, InTe2, ReS2, ReSe2, ReTe2, VS2, VSe2 및 VTe2중 한 종류 이상의 이차원 소재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 채널 영역은 한 종류 이상의 이차원 소재가 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제5 항에 있어서,상기 형성된 전구체 막에 대하여 칼코겐화 공정을 수행하여 금속 칼코겐 막을 형성하는 단계는,상기 채널 영역에는 상기 기판과 평행한 방향으로 배향된 층들로 구성된 이차원 소재층이 형성되고, 상기 컨택트 영역의 골 부분에는 상기 기판과 수직한 방향으로 배향된 이차원 소재 층들이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 형성된 금속 칼코겐 막 위에 전극을 형성하는 단계는,상기 컨택트 영역 상에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 기판에서 전극이 형성될 영역에 요철을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 미리 요철이 형성된 하부 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 하부 전극 상에 하나 이상의 층으로 구성된 반도체 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 금속 칼코겐 막의 두께는 0
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제 1 항에 있어서,상기 요철의 골 부분은 120도 이하의 예각을 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조 방법
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접촉 저항이 개선된 반도체 소자에 있어서,기판과, 상기 기판 상의 전극이 형성될 영역에 대응하도록 형성된 요철과,상기 요철의 상면에 형성된 금속 칼코겐 막과,상기 금속 칼코겐 막 위에 형성된 전극을 포함하되,상기 금속 칼코겐 막은 상기 요철이 형성된 기판 상에 형성된 이차원 소재의 전구체 막에 대하여 칼코겐화 공정이 수행됨에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 15 항에 있어서,상기 기판은 하나 이상의 컨택트 영역 및 채널 영역을 포함하도록 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 16 항에 있어서,상기 채널 영역에는 상기 기판과 평행한 방향으로 배향된 층들로 구성된 이차원 소재층이 형성되고, 상기 컨택트 영역의 골 부분에는 상기 기판과 수직한 방향으로 배향된 층들이 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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18
제 15 항에 있어서,상기 기판 상에 형성된 하부 전극 및 상기 하부 전극 상에 하나 이상의 층으로 구성된 반도체 층을 더 포함하되,상기 요철은 상기 하부 전극 상에 형성되고,상기 금속 칼코겐 막 위에 형성된 전극은 상부 전극인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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제 15 항에 있어서,상기 이차원 소재의 전구체 막은 금속 극초박막 또는 일부 산화된 금속의 극초박막인 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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접촉 저항이 개선된 반도체 소자에 있어서,기판과, 상기 기판 상에 형성된 한 개 이상의 전극과 상기 전극의 상면에 형성된 금속 칼코겐 막을 포함하고,상기 전극의 상면은 요철이 형성되어 있는 영역을 포함하되, 상기 전극의 상면과 기판 상에 형성된 이차원 소재의 전구체 막에 대하여 칼코겐화 공정이 수행됨에 따라 형성되어 수직한 방향으로 배향된 이차원 소재 층들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
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